集成電路制造工藝流程(參考版)
2025-01-08 18:34本頁面
【正文】 上午 2時 40分 21秒 上午 2時 40分 02:40: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 2023年 1月 上午 2時 40分 :40January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :40:2102:40:21January 24, 2023 ? 1意志堅強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 02:40:2102:40:2102:40Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 02:40:2102:40:2102:401/24/2023 2:40:21 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 上午 2時 40分 21秒 上午 2時 40分 02:40: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 1月 上午 2時 40分 :40January 24, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 40分 21秒 02:40: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 02:40:2102:40:2102:40Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 02:40:2102:40:2102:401/24/2023 2:40:21 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點點小小努力的積累。 上午 2時 40分 21秒 上午 2時 40分 02:40: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 2023年 1月 上午 2時 40分 :40January 24, 2023 ? 1行動出成果，工作出財富。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時 40分 21秒 02:40: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 02:40:2102:40:2102:40Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 02:40:2102:40:2102:401/24/2023 2:40:21 AM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 BiMOS工藝 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiMOS工藝 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 62 B E C NMOS PMOS N+ N+ N+ N+ P+ P+ P阱 P阱 NSUB 縱向 NPN 以 P阱 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS器件剖面 B E C PMOS NMOS PSUB 縱向 NPN P N阱 N+ N+ P+ P+ N+ N+ N阱 以 N阱 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS器件剖面 NPN的集電極接襯底 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 在既要求高集成度又要求高速的領(lǐng)域中可以采用二者的結(jié)合（即 Bi CMOS工藝 ），發(fā)揮各自的優(yōu)點。 2. 何為硅柵自對準(zhǔn)？ 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 57 167。 LDD注入之后，先制作側(cè)墻，然后再進(jìn)行P+（ N+）有源區(qū)光刻、注入。 PSub N阱 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 LDD注入 在 P+（ N+）有源區(qū)注入前可以進(jìn)行 LDD注入，以便減小短溝道效應(yīng)和熱載流子效應(yīng)。 N阱硅柵 CMOS集成電路制造工藝 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理 32 思考題 ？各自的作用是什么？ （ LOCOS ) ？ （ Local Oxidation of Silicon) (Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和 PMOS的源漏如何形成的？ 國際微電子中心 集成電路設(shè)計原理
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