集成電路制造工藝及常用設(shè)備培訓(xùn)課件(存儲(chǔ)版)
【正文】 4 ＋ 4NH3 → Si 3N4 ＋ 12H2 它的化學(xué)反應(yīng)同 LPCVD完全一樣，差別就是反應(yīng)的溫度不同。 7. 封裝工藝 關(guān)于考試 1. 閉卷考試； 2. 考試時(shí)間 （ 等通知） 3. 考試地點(diǎn)（等通知） 4. 需要攜帶計(jì)算器，畫圖時(shí)可用直尺也可不用。 。 :40:1302:40:13January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 :40:1302:40Jan2324Jan23 ? 1越是無(wú)能的人，越喜歡挑剔別人的錯(cuò)兒。 2023年 1月 24日星期二 2時(shí) 40分 13秒 02:40:1324 January 2023 ? 1一個(gè)人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。 , January 24, 2023 ? 閱讀一切好書如同和過(guò)去最杰出的人談話。 :40:1302:40Jan2324Jan23 ? 1世間成事，不求其絕對(duì)圓滿，留一份不足，可得無(wú)限完美。 :40:1302:40:13January 24, 2023 ? 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國(guó)見(jiàn)青山。襯底需要加熱。 5. 等離子體加工技術(shù)小結(jié) 如果靶材是絕緣介質(zhì)或?qū)щ姲猩鲜芙^緣介質(zhì)污染時(shí)，相當(dāng)于在等離子體與陰極之間有一個(gè)電容器，采用直流電源實(shí)現(xiàn)濺射存在困難，所以對(duì)于絕緣靶的濺射一般采用射頻（ RF）電源，但是它必須要在硅片與靶之間加一個(gè)直流偏壓。 Si3N4在器件制造中可以用作鈍化膜、局部氧化擴(kuò)散掩膜、硅濕法腐蝕的掩蔽膜、絕緣介質(zhì)膜以及雜質(zhì)或缺陷的萃取膜。 ● 高度的結(jié)構(gòu)完整性和低的膜應(yīng)力。 接近式曝光 接近式曝光是掩膜版同光刻膠離開(kāi)10 ～ 50 μm，所以掩膜版不容易被損傷，掩膜版的使用壽命長(zhǎng)，圖形的缺陷少，管芯的成品率高，但是缺點(diǎn)是分辨率低，同時(shí)機(jī)器操作比接觸式曝光機(jī)復(fù)雜、價(jià)格也稍貴。 注入離子的激活 離子注入后的熱退火 高能粒子撞擊硅片表面，造成晶格損傷，因此為了消除離子注入造成的損傷和激活注入的雜質(zhì)離子，離子注入后必須要進(jìn)行熱退火。 ● 離子注入法可以做到高純度的摻雜，避免有 害物質(zhì)進(jìn)入硅片。 的 SiO2薄膜一般采用干氧的方式。 （ 3 13） 硅熱氧化的厚度計(jì)算 熱氧化原理和方法 O2 擴(kuò)散 反應(yīng) SiO2 Si Si + O2 = SiO2 硅的熱氧化分干氧和濕氧兩種。 τ 是一個(gè)時(shí)間參數(shù)，單位是小時(shí)（ h）。 在實(shí)際工藝應(yīng)用中，生長(zhǎng)高質(zhì)量的幾百 197。 ● 擴(kuò)散法是在高溫下?lián)诫s，離子注入法摻雜一 般在室溫下進(jìn)行（也可以在加溫或低溫下進(jìn) 行）。 離子注入的損傷和退火效應(yīng) 注入的離子在硅單晶中往往處于間隙位置，一般不能提供導(dǎo)電性能，因此，必須要使注入的雜質(zhì)原子轉(zhuǎn)入替位位置以實(shí)現(xiàn)電激活。由于接觸式曝光時(shí)掩膜版同光刻膠直接接觸，所以掩膜版容易損傷，圖形缺陷多、管芯成品率低、不適合 VLSI生產(chǎn)。 ● 受控制的化學(xué)劑量。濺射方式制作 SiO2薄膜 的溫度低、質(zhì)量好，但是效率低、成本高。 直流陰極濺射是荷能粒子（一般采用正離子）轟擊處在陰極的靶材，把靶材上的原子濺射到陽(yáng)極的硅片上。而 PECVD是兩種反應(yīng)氣體在等離子體中分解為具有高活性的反應(yīng)粒子，這些活性反應(yīng)粒子在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜。 02:40:1302:40:1302:40Tuesday,
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