集成電路工藝原理(存儲(chǔ)版)
【正文】 =?0。 c)溶劑：芳香族化合物 (aromatic) 負(fù)膠顯影液 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 32/34 DUV深紫外光刻膠 傳統(tǒng) DNQ膠的問(wèn)題： 對(duì)于 i線波長(zhǎng)的光強(qiáng)烈吸收 汞燈在 DUV波段輸出光強(qiáng)不如 i線和 g線，因此靈敏度不夠 量子效率提高有限（最大為 1，一般 ) 化學(xué)增強(qiáng)光刻膠 PAG (photoacid generator) 原理： 入射光子與 PAG分子反應(yīng)，產(chǎn)生酸分子，在后續(xù)的烘烤過(guò)程中，酸分子起催化劑作用，使曝光區(qū)域光刻膠改性 總量子效率 1，因此 DUV膠的靈敏度有很大提高 。 負(fù)膠在顯影時(shí)線條會(huì)變粗，使其分辨率不能達(dá)到很高。 n為折射率 分辨率 NAkR ?1?k1= 提高分辨率： NA?， ??， k1? 理論計(jì)算人眼愛(ài)里斑 ~20mm 分辨率 ： 100 mm n ? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 20/34 投影式 基本參數(shù)： ?分辨率 (resolution) ?焦深 (depth of focus) ?視場(chǎng) (field of view) ?調(diào)制傳遞函數(shù) (MTF— modulation transfer function) ?套刻精度 (alignment accuracy) ?產(chǎn)率 (throughput) ?…… 光學(xué)系統(tǒng)決定 機(jī)械設(shè)計(jì) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 21/34 ?為 軸上光線到極限聚焦位置的光程差。 ?＝ 436 nm時(shí)， ?0＝ NA/?＝ ( )＝ 即分辨率為每 mm的 （ ?=?0 ） ?最小線條的分辨尺寸為 mm或 pitch＝ mm 若 ?＝ 365 nm（ iline），則分辨尺寸可減小為 mm。 g線、 i線光刻膠靈敏度為 100 mJ/cm2， DUV膠為 20－ 40 mJ/cm2 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 33/34 DUV膠化學(xué)增強(qiáng)的基本原理 要求對(duì)于環(huán)境和工藝參數(shù)控制嚴(yán)格， PEB 溫度控制在幾分之一度。 前烘后膜上樹(shù)脂 : PAC＝ 1:1 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 30/34 負(fù)膠 (Negative Optical Photoresist)
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