集成電路制造工藝ppt課件(參考版)
2025-05-10 07:17本頁面
【正文】 ?氮化硅的化學汽相淀積： 中等溫度 (780～820℃ )的 LPCVD或低溫 (300℃ ) PECVD方法淀積 物理氣相淀積 (PVD) ?蒸發(fā)： 在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。 ?可以對化合物半導體進行摻雜 離子注入系統(tǒng)的原理示意圖 離子注入到無定形靶中的高斯分布情況 退 火 ?退火： 也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮氣等不活潑氣氛中進行的熱處理過程都可以稱為退火。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點，同時兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點。 ?接近式曝光： 在硅片和掩膜版之間有一個很小的間隙 (10～ 25?m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低 ?投影式曝光： 利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式 三種光刻方式 圖形轉換：光刻 ?超細線條光刻技術 ?甚遠紫外線 (EUV) ?電子束光刻 ?X射線 ?離子束光刻 圖形轉換：刻蝕技術 ?濕法刻蝕： 利用液態(tài)化學試劑或溶液通過化學反應進行刻蝕的方法 ?干法刻蝕： 主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基(處于激發(fā)態(tài)的分子 、 原子及各種原子基團等 )與材料發(fā)生化學反應或通過轟擊等物理作用而達到刻蝕的目的 圖形轉換：刻蝕技術 ?濕法腐蝕： ?濕法化學刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕 ?優(yōu)點是選擇性好、重復性好、生產(chǎn)效率高、設備簡單、成本低 ?缺點是鉆蝕嚴重、對圖形的控制性較差 干法刻蝕 ?濺射與離子束銑蝕： 通過高能惰性氣體離子的物理轟擊作用刻蝕 ， 各向異性性好，但選擇性較差 ?等離子刻蝕 (Plasma Etching)： 利用放電產(chǎn)生的
教學課件相關推薦
鄂ICP備17016276號-1