集成電路制造工藝ppt課件(更新版)
【正文】 也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火。 集成電路制造工藝 ?圖形轉(zhuǎn)換： 將設(shè)計(jì)在掩膜版 (類似于照相底片 )上的圖形轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體單晶片上 ?摻雜： 根據(jù)設(shè)計(jì)的需要，將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上，形成晶體管、接觸等 ?制膜： 制作各種材料的薄膜 圖形轉(zhuǎn)換：光刻 ?光刻三要素： 光刻膠 、 掩膜版和光刻機(jī) ?光刻膠又叫光致抗蝕劑 ， 它是由光敏化合物 、基體樹脂和有機(jī)溶劑等混合而成的膠狀液體 ?光刻膠受到特定波長(zhǎng)光線的作用后 ， 導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化 ， 使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變 ?正膠： 分辨率高 ， 在超大規(guī)模集成電路工藝中 ， 一般只采用正膠 ?負(fù)膠： 分辨率差 ， 適于加工線寬 ≥3?m的線條 正膠：曝光后可溶 負(fù)膠：曝光后不可溶 圖形轉(zhuǎn)換：光刻 ?幾種常見的光刻方法 ?接觸式光刻： 分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。按照能量來源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種 ?濺射： 真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場(chǎng)作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上 蒸發(fā)原理圖 集成電路工藝 ?圖形轉(zhuǎn)換： ?光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻 ?刻蝕：干法刻蝕、濕發(fā)刻蝕 ?摻雜： ?離子注入 退火 ?擴(kuò)散 ?制膜： ?氧化：干氧氧化、濕氧氧化等 ?CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVD ?PVD：蒸發(fā)、濺射 作 業(yè) ?集成電路工藝主要分為哪幾大類，每一類中包括哪些主要工藝，并簡(jiǎn)述各工藝的主要作用 ?簡(jiǎn)述光刻的工藝過程
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