集成電路制造工藝ppt課件-在線瀏覽
2025-06-24 07:17本頁面
【正文】 質(zhì)分布 ?可以注入各種各樣的元素 ?橫向擴展比擴散要小得多。 ?激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運動到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用 ?消除損傷 ?退火方式： ?爐退火 ?快速退火：脈沖激光法、掃描電子束、連續(xù)波激光、非相干寬帶頻光源 (如鹵光燈、電弧燈、石墨加熱器、紅外設(shè)備等 ) 氧化工藝 ?氧化：制備 SiO2層 ?SiO2的性質(zhì)及其作用 ?SiO2是一種十分理想的電絕緣材料，它的化學(xué)性質(zhì)非常穩(wěn)定，室溫下它只與氫氟酸發(fā)生化學(xué)反應(yīng) 氧化硅層的主要作用 ?在 MOS電路中作為 MOS器件的絕緣柵介質(zhì)，器件的組成部分 ?擴散時的掩蔽層，離子注入的 (有時與光刻膠、 Si3N4層一起使用 )阻擋層 ?作為集成電路的隔離介質(zhì)材料 ?作為電容器的絕緣介質(zhì)材料 ?作為多層金屬互連層之間的介質(zhì)材料 ?作為對器件和電路進行鈍化的鈍化層材料 SiO2的制備方法 ?熱氧化法 ?干氧氧化 ?水蒸汽氧化 ?濕氧氧化 ?干氧－濕氧－干氧 (簡稱干濕干 )氧化法 ?氫氧合成氧化 ?化學(xué)氣相淀積法 ?熱分解淀積法 ?濺射法 進行干氧和濕氧氧化的氧化爐示意圖 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?化學(xué)汽相淀積 (Chemical Vapor Deposition)：通過氣態(tài)物質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)在襯底上淀積一層薄膜材料的過程 ?CVD技術(shù)特點： ?具有淀積溫度低、薄膜成分和厚度易于控制、均勻性和重復(fù)性好、臺階覆蓋優(yōu)良、適用范圍廣、設(shè)備簡單等一系列優(yōu)點 ?CVD方法幾乎可以淀積集成電路工藝中所需要的各種薄膜，例如摻雜或不摻雜的 SiO多晶硅、非晶硅、氮化硅、金屬 (鎢、鉬 )等 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?常壓化學(xué)汽相淀積 (APCVD)
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