《集成電路制造工藝》ppt課件(文件)
【正文】 — — 制造業(yè) — 芯片制造過程 由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層 曝 光 刻 蝕 硅片 測試和封裝 用掩膜版 重復(fù) 2030次 AA 集成電路芯片的顯微照片 V ss po l y 柵 V dd 布線通道參考孔有源區(qū)N+P+集成電路的內(nèi)部單元 (俯視圖 ) N溝道 MOS晶體管 CMOS集成電路 (互補(bǔ)型 MOS集成電路 )：目前應(yīng)用最為廣泛的一種集成電路，約占集成電路總數(shù)的 95%以上。具有濺射刻蝕和等離子刻蝕兩者的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)兼有各向異性和選擇性好的優(yōu)點(diǎn)。 ?氮化硅的化學(xué)汽相淀積： 中等溫度 (780～820℃ )的 LPCVD或低溫 (300℃ ) PECVD方法淀積 物理氣相淀積 (PVD) ?蒸發(fā)： 在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。 ?可以對化合物半導(dǎo)體進(jìn)行摻雜 離子注入系統(tǒng)的原理示意圖 離子注入到無定形靶中的高斯分布情況 退 火 ?退火： 也叫熱處理，集成電路工藝中所有的在氮?dú)獾炔换顫姎夥罩羞M(jìn)行的熱處理過程都可以稱為退火。 ?接近式曝光： 在硅片和掩膜版之間有一個(gè)很小的間隙 (10～ 25?m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低 ?投影式曝光： 利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式 三種光刻方式 圖形轉(zhuǎn)換：光刻 ?超細(xì)線條光刻技術(shù) ?甚遠(yuǎn)紫外線 (EUV) ?電子束光刻 ?X射線 ?離子束光刻 圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù) ?濕法刻蝕： 利用液態(tài)化學(xué)試劑或溶液通過化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕的方法 ?干法刻蝕： 主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的
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