集成電路制造工藝ppt課件-資料下載頁(yè)
2025-05-07 07:17本頁(yè)面
【正文】 般地，將在單晶襯底上生長(zhǎng)單晶材料的工藝叫做外延，生長(zhǎng)有外延層的晶體片叫做外延片 ?二氧化硅的化學(xué)汽相淀積： 可以作為金屬化時(shí)的介質(zhì)層，而且還可以作為離子注入或擴(kuò)散的掩蔽膜，甚至還可以將摻磷、硼或砷的氧化物用作擴(kuò)散源 ?低溫 CVD氧化層：低于 500℃ ?中等溫度淀積： 500～ 800℃ ?高溫淀積： 900℃ 左右 化學(xué)汽相淀積 (CVD) ?多晶硅的化學(xué)汽相淀積： 利用多晶硅替代金屬鋁作為 MOS器件的柵極是 MOS集成電路技術(shù)的重大突破之一，它比利用金屬鋁作為柵極的 MOS器件性能得到很大提高，而且采用多晶硅柵技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)源漏區(qū)自對(duì)準(zhǔn)離子注入，使 MOS集成電路的集成度得到很大提高。 ?氮化硅的化學(xué)汽相淀積： 中等溫度 (780～820℃ )的 LPCVD或低溫 (300℃ ) PECVD方法淀積 物理氣相淀積 (PVD) ?蒸發(fā)： 在真空系統(tǒng)中，金屬原子獲得足夠的能量后便可以脫離金屬表面的束縛成為蒸汽原子，淀積在晶片上。按照能量來(lái)源的不同，有燈絲加熱蒸發(fā)和電子束蒸發(fā)兩種 ?濺射： 真空系統(tǒng)中充入惰性氣體，在高壓電場(chǎng)作用下，氣體放電形成的離子被強(qiáng)電場(chǎng)加速，轟擊靶材料，使靶原子逸出并被濺射到晶片上 蒸發(fā)原理圖 集成電路工藝 ?圖形轉(zhuǎn)換： ?光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻 ?刻蝕：干法刻蝕、濕發(fā)刻蝕 ?摻雜： ?離子注入 退火 ?擴(kuò)散 ?制膜： ?氧化：干氧氧化、濕氧氧化等 ?CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVD ?PVD：蒸發(fā)、濺射 作 業(yè) ?集成電路工藝主要分為哪幾大類，每一類中包括哪些主要工藝，并簡(jiǎn)述各工藝的主要作用 ?簡(jiǎn)述光刻的工藝過(guò)程
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