雙極型集成電路ppt課件-資料下載頁
2025-01-14 10:46本頁面
【正文】 45 46 小結：集成電路工藝 ? 圖形轉換： – 光刻：接觸光刻、接近光刻、投影光刻、電子束光刻 – 刻蝕：干法刻蝕、濕法刻蝕 ? 摻雜： – 離子注入 退火 – 擴散 ? 制膜： – 氧化：干氧氧化、濕氧氧化等 – CVD： APCVD、 LPCVD、 PECVD – PVD：蒸發(fā)、濺射 47 補充 1：接觸與互連 蒸發(fā)或濺射 → 芯片表面形成金屬膜 → 光刻和腐蝕 → 連線 ? 集成電路中的互連線一般采用金屬（ 鋁 、 銅 ），有時也用多晶硅（電阻率較高） 。 ? Al是目前集成電路工藝中最常用的金屬互連材料 , 但 Al連線也存在一些比較嚴重的問題 – 電阻率偏高、淺結穿透等 ? Cu連線工藝有望從根本上解決該問題 – IBM、 Motorola等已經(jīng)開發(fā)成功 ? 目前，互連線已經(jīng)占到芯片總面積的 70～ 80%；且連線的寬度越來越窄，電流密度迅速增加 48 接觸孔和通孔 金屬 2 金屬 1 金屬 1 金屬 2 通孔 接觸孔 49 補充 2： 芯片封裝工藝 50 （ 1）封裝工序流程 51 （ 2）管芯分割工藝 52 （ 3）芯片粘貼 53 （ 4）引線鍵合 54 （ 5）模壓（塑封） （ 6）封裝分類 55 （ 6）封裝分類 56 補充 3：半導體制造環(huán)境要求 ? 主要污染源：微塵顆粒、重金屬離子、有機物殘留物和鈉離子等輕金屬離子。 ? 超凈間：潔凈等級主要由 微塵顆粒數(shù) /m3 I級 35 3 1 NA 10 級 350 75 30 10 NA 100級 NA 750 300 100 NA 1000級 NA NA NA 1000 7
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