【總結(jié)】微電子工藝(5)工藝集成與封裝測(cè)試1第10章金屬化與多層互連第五單元工藝集成與封裝測(cè)試第12章工藝集成第13章工藝監(jiān)控第14章封裝與測(cè)試2第10章金屬化與多層互連第12章工藝集成金屬化與多層互連CMOS集成電路工藝雙極型集成電路工藝3第10
2025-01-08 13:39
【總結(jié)】半導(dǎo)體集成電路常見封裝縮寫解釋1.DIP(dualin-linePACkage)雙列直插式封裝。插裝型封裝之一,引腳從封裝兩側(cè)引出,封裝材料有塑料和陶瓷兩種。DIP是最普及的插裝型封裝,應(yīng)用范圍包括標(biāo)準(zhǔn)邏輯IC,存貯器LSI,微機(jī)電路等。,引腳數(shù)從6到64。。的封裝分別稱為skinnyDIP和slimDIP(窄體型DIP)。但多數(shù)情況下并不加區(qū)分,
2025-04-07 21:53
【總結(jié)】山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》交互式多媒體計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院山東大學(xué)孟堯微電子研發(fā)中心2002.6.26山東大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院《集成電路制造技術(shù)》多媒體計(jì)算機(jī)輔助教學(xué)課程課程輔導(dǎo)教案李惠軍教授(碩士研究生導(dǎo)師)(
2025-07-31 06:02
【總結(jié)】第三章:熱氧化技術(shù)?.二氧化硅及其在器件中的應(yīng)用–.1.SiO2的結(jié)構(gòu)和基本性質(zhì)–1)結(jié)構(gòu):結(jié)晶形二氧化硅(石英晶體)(2.65g/cm3)無(wú)定形(非晶)二氧化硅(石英玻璃)(2.20g/cm3
2024-12-08 11:23
【總結(jié)】123456789101112131415161718192021222324252627
2025-08-05 16:51
【總結(jié)】第八章專用集成電路和可編程集成電路???????、標(biāo)準(zhǔn)單元與可編程集成電路的比較?專用集成電路(ASIC)被認(rèn)為是用戶專用電路(customspecificIC),即它是根據(jù)用戶的特定要求.能以低研制成本、短交貨周期供貨的集成電路。它最主要的優(yōu)點(diǎn)在于:?(1)
2025-01-17 09:42
【總結(jié)】實(shí)驗(yàn)一認(rèn)識(shí)常用實(shí)驗(yàn)設(shè)備和集成電路,邏輯筆實(shí)驗(yàn)與分析?一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?1.熟悉門電路應(yīng)用分析。?2.熟悉實(shí)驗(yàn)箱各部分電路的作用。?3.掌握通信邏輯筆的制作和使用,對(duì)高、低電平、脈沖串的信號(hào)建立相應(yīng)的概念。?4.學(xué)會(huì)用門電路解決實(shí)際問題。二、實(shí)驗(yàn)儀器及材料?數(shù)字電路實(shí)驗(yàn)箱以及各種集
2025-05-07 07:17
【總結(jié)】第五章:快速熱處理技術(shù)RapidThermalProcessing–目的:注入離子的電激活氧化層缺陷和界面態(tài)的消除消除缺陷和應(yīng)力金屬化(金屬硅化反應(yīng))玻璃介質(zhì)(磷、硼硅玻璃)的熔流覆蓋層的固化表面的平坦化上述的熱處理,多數(shù)屬于后工序。因而,低溫
2025-10-07 19:51
【總結(jié)】集成電路制造技術(shù)第八章光刻與刻蝕工藝西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院戴顯英2023年9月主要內(nèi)容n光刻的重要性n光刻工藝流程n光源n光刻膠n分辨率n濕法刻蝕n干法刻蝕第八章光刻與刻蝕工藝nIC制造中最重要的工藝:①?zèng)Q定著芯片的最小特征尺寸②占芯片制造時(shí)間的40-50%③占制造成本的30%n光刻
2025-01-06 18:34
【總結(jié)】集成電路CAD總學(xué)分:2上課學(xué)分:(24學(xué)時(shí))實(shí)驗(yàn)學(xué)分:(16學(xué)時(shí))什么是集成電路CAD??ComputerAidedDesign?ComputerAidedDrafting?TodayweuseComputerAidedDraftingtoolstodraweachlayerofour
2025-08-01 14:45
【總結(jié)】集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)1/34集成電路工藝原理仇志軍邯鄲校區(qū)物理樓435室集成電路工藝原理第四章光刻原理(上)2/34凈化的三個(gè)層次:上節(jié)課主要內(nèi)容凈化級(jí)別高效凈化凈化的必要性器件:少子壽命?,VT改變,Ion?Ioff?,柵
2025-07-23 00:26
【總結(jié)】可行性研究報(bào)告2013-152/53第一章項(xiàng)目概論一、項(xiàng)目名稱及承辦單位1、項(xiàng)目名稱:集成電路封裝生產(chǎn)項(xiàng)目2、項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì):新建3、項(xiàng)目承辦單位:****投資咨詢有限公司4、企業(yè)類型:有限責(zé)任公司二、項(xiàng)目可行性研究報(bào)告委托編制單位編制單位:****投資咨詢有限公司三、可行性研究的目的本可行性研究報(bào)告對(duì)
2025-05-11 12:07
【總結(jié)】1第八章雙極型集成電路2內(nèi)容提要?集成電路制造工藝?電學(xué)隔離?pn結(jié)隔離集成電路工藝流程?IC中的元件結(jié)構(gòu)與寄生效應(yīng)?TTL門電路的工作原理和基本參數(shù)?TTL門電路的改進(jìn)?雙極型數(shù)字電路的版圖設(shè)計(jì)3?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)
2025-01-14 10:46
【總結(jié)】求和運(yùn)算電路積分和微分運(yùn)算電路對(duì)數(shù)和指數(shù)運(yùn)算電路模擬乘法器及其應(yīng)用有源濾波器[引言]:運(yùn)算電路是集成運(yùn)算放大器的基本應(yīng)用電路,它是集成運(yùn)放的線性應(yīng)用。討論的是模擬信號(hào)的加法、減法積分和微分、對(duì)數(shù)和反對(duì)數(shù)(指數(shù))、以及乘法和除法運(yùn)算。為了分析方便,把運(yùn)放均視為理想器件:
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】19-6MOS工藝我們主要要了解各次光刻版的作用,為學(xué)習(xí)版圖設(shè)計(jì)打下基礎(chǔ)。(1)外延生長(zhǎng)?外延生長(zhǎng)為在單晶襯底(基片)上生長(zhǎng)一層有一定要求的、與襯底晶向相同的單品層的方法。生長(zhǎng)外延層有多種方法,但采用最多的是氣相外延工藝,常使用高頻感應(yīng)爐加熱,襯底置于包有碳化硅、玻璃態(tài)石墨或熱分解石墨的高純石墨加熱體
2025-04-28 22:22