集成電路光刻工藝ppt課件-資料下載頁
2025-05-07 07:17本頁面
【正文】 能量。它進(jìn)一步分為三個(gè)光帶：200nm到 260nm； 260nm到 285nm以及 285nm到 315nm。 35 ?幾種實(shí)用的光刻膠配方 。 ?PMMA對(duì) 210nm到 260nm的紫外光有感光性 ，感光性最佳的紫外光光譜約為 220nm； ?PMIK的紫外光感光光譜為 220nm到 330nm，峰值光譜約為 190nm和 285nm。 36 ?AZ240系列光刻膠的感光光譜為 240nm到310nm， 峰值光譜約為 248nm、 300nm、315nm。 ?ODVR系列光刻膠的感光光譜為 200nm到315nm， 峰值光譜為 230nm、 280nm、300nm。 37 38 遠(yuǎn)紫外光作為曝光方法通常有兩種： 對(duì)準(zhǔn)曝光和泛光曝光 (不必對(duì)準(zhǔn) )。 ? 泛光曝光：該工藝又被稱為 “ 多層抗蝕劑技術(shù) ” ， 它同時(shí)使用深紫外光和標(biāo)準(zhǔn)紫外光的抗蝕劑 。 深紫外光的抗蝕劑直接被甩到晶片上 ， 填滿所有的空隙 ， 留下平坦的表面 。 然后在上面甩上第二層膠 。 (第二層膠一般為正膠 )。 39 上面一層的抗蝕劑在步進(jìn)光刻機(jī)用普通掩膜對(duì)準(zhǔn)方式曝光，然后顯影，這就會(huì)在深紫外光抗蝕劑上形成一層 “ 共形 ” 掩膜，所以不用再進(jìn)行掩膜對(duì)準(zhǔn)。然后帶有共形掩膜的硅片在遠(yuǎn)紫外光下曝光，進(jìn)一步處理，最后得到了分辨率相當(dāng)高的線條和間隙結(jié)構(gòu)圖形。 40 41 八、各種曝光方式的比較
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