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2025-01-15 16:27本頁面
【正文】 獲得單位面積的大輸出電流 易于獲得大電流 大功率應(yīng)用 開態(tài)電壓VBE與尺寸、工藝無關(guān) 片間漲落小，可獲得小的電壓擺幅 易于小信號應(yīng)用 模擬電路 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 輸入電容由擴散電容決定 隨工作電流的減小而減小 可同時在大或小的電流下工作而無需調(diào)整輸入電容 輸入電壓直接控制提供輸出電流的載流子密度 高跨導(dǎo) 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 缺點： 存在直流輸入電流，基極電流 功耗大 飽和區(qū)中存儲電荷上升 開關(guān)速度慢 開態(tài)電壓無法成為設(shè)計參數(shù) 設(shè)計 BJT的關(guān)鍵： 獲得盡可能大的 IC和盡可能小的 IB 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 當(dāng)代 BJT結(jié)構(gòu) 特點： 深槽隔離 多晶硅發(fā)射極 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 167。 MOS場效應(yīng)晶體管 ? MOS電容結(jié)構(gòu) ? MOSFET 器件 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 1. MOS 電容 ?電容的含義 ?MOS結(jié)構(gòu) ?理想的 MOS電容特性 ?非理想的 MOS電容特性 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 ?關(guān)于電容 平行板電容器 +Q Q E d + V 面積 A 電容 C定義為： Q V C＝ 斜率 AdVQC ???直流和交流時均成立 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 一 MOS結(jié)構(gòu) ?交流電容 交流電容 C定義為： +Q Q E d + V 面積 A +?Q ?Q ?V Q V C（ V〕 ＝ 斜率 對于理想的交流電容， C與頻率無關(guān) 這里 理想 指電容中沒有能量的耗散： 忽略金屬引線的電阻（超導(dǎo)線〕 介質(zhì)層不吸收能量 VVQVC??? ),(),( ??北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 非理想的電容： Cideal Rp RS 半導(dǎo)體中的電容通常是交流電容 例如：突變 PN結(jié)電容 VVxVxQVQC dd ???????? )()(dD xq A NQ ?AxCd?＝和平行板 電容器形 式一樣 + V P+ N xd 偏壓改變 ?V 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 施加偏壓后的不同狀態(tài)：積累、耗盡、反型 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 施加偏壓后的不同狀態(tài)：積累、耗盡、反型 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 施加偏壓后的不同狀態(tài)：積累、耗盡、反型 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 MOS場效應(yīng)晶體管 場效應(yīng)晶體管 結(jié)型場效應(yīng)晶體管 （ JFET） 金屬－半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 （ MESFET） MOS 場效應(yīng) 晶體管（ MOSFET） 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 轉(zhuǎn)移特性曲線 ?提取閾值電壓 ?研究亞閾特性 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 長溝 M O S F E T 的輸出特性 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 亞 MOSFET器件的發(fā)展趨勢 N+ (P+) N+ (P+) P (N) Source Gate Drain N+(P+) 北京大學(xué) 微電子學(xué)研究所 作業(yè) ?描述二極管的工作機理 ?討論 PMOS晶體管的工作原理
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