【總結(jié)】北京大學(xué)微電子學(xué)研究所半導(dǎo)體及其基本特性北京大學(xué)北京大學(xué)微電子學(xué)研究所固體材料:超導(dǎo)體:大于106(?cm)-1導(dǎo)體:106~104(?cm)-1半導(dǎo)體:104~10-10(?cm)-1絕緣體
2025-01-15 16:27
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝芯片制造過(guò)程?圖形轉(zhuǎn)換:將設(shè)計(jì)在掩膜版(類似于照相底片)上的圖形轉(zhuǎn)移到襯底上。?摻雜:根據(jù)設(shè)計(jì)的需要,將各種雜質(zhì)摻雜在需要的位置上,形成晶體管、接觸等。?制膜:制作各種材料的薄膜?;静襟E:硅片準(zhǔn)備、外延、氧化、摻雜、淀積、刻蝕、光刻硅片準(zhǔn)備光刻(Lithography)圖形轉(zhuǎn)移
2025-03-01 12:22
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)第七章集成電路版圖設(shè)計(jì)華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計(jì)中心殷瑞祥教授版圖設(shè)計(jì)概述?版圖(Layout)是集成電路設(shè)計(jì)者將設(shè)計(jì)并模擬優(yōu)化后的電路轉(zhuǎn)化成的一系列幾何圖形,包含了集成電路尺寸大小、各層拓?fù)涠x等有關(guān)器件的所有物理信息。?集成電路制造廠家根據(jù)版圖來(lái)制造掩膜。版圖的設(shè)
2025-05-04 18:03
【總結(jié)】第七章中規(guī)模通用集成電路及其應(yīng)用常用中規(guī)模組合邏輯電路常用中規(guī)模時(shí)序邏輯電路常用中規(guī)模信號(hào)產(chǎn)生與變形電路第七章中規(guī)模通用集成電路及其應(yīng)用?集成電路由SSI發(fā)展到MSI、LSI、VLSI,單塊芯片功能不斷增強(qiáng)。?SSI集成基本器件(邏輯門、觸發(fā)器);?MSI集成邏輯部件(譯碼器、寄存器);
2025-01-14 05:35
【總結(jié)】集成電路工藝原理第三講光刻原理11集成電路工藝原理仇志軍(username&password:vlsi)邯鄲路校區(qū)物理樓435室助教:沈臻魁楊榮邯鄲路校區(qū)計(jì)算中心B204集成電路工藝原理第三講光刻原理12凈
2025-01-15 16:29
【總結(jié)】1第四章集成電路器件工藝雙極型集成電路的基本制造工藝MESFET和HEMT工藝MOS工藝和相關(guān)的VLSI工藝BiCMOS工藝2第四章集成電路器件工藝IC材料、工藝、器件和電路材料工藝器件電路形式電路規(guī)模Si-BipolarD,BJT,
2025-04-29 04:50
【總結(jié)】第四章集成電路制造工藝?集成電路設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測(cè)單晶、外延材料掩膜版芯片制造過(guò)程封裝測(cè)試系統(tǒng)需求集成電路的設(shè)計(jì)過(guò)程:設(shè)計(jì)創(chuàng)意+仿真驗(yàn)證集成電路芯片設(shè)計(jì)過(guò)程框架From吉利久教授
2025-05-07 07:17
【總結(jié)】第四章第四章集成電路設(shè)計(jì)第四章集成電路是由元、器件組成。元、器件分為兩大類:無(wú)源元件電阻、電容、電感、互連線、傳輸線等有源器件各類晶體管集成電路中的無(wú)源源件占的面積一般都比有源器件大。所以設(shè)計(jì)時(shí)盡可能少用無(wú)源元件,尤其是電容
【總結(jié)】第六章雙極型模擬集成電路集成化元、器件及其特點(diǎn)集成差分放大電路電流模電路功率輸出級(jí)電路集成運(yùn)算放大器第二節(jié)第一節(jié)第五節(jié)第四節(jié)第三節(jié)第一節(jié)集成化元、器件及其特點(diǎn)一集成電路工藝簡(jiǎn)介以制造NPN管的工藝流程為例氧化光刻
2025-05-01 02:37
【總結(jié)】第一部分考試試題第0章緒論?,分為哪些類型,請(qǐng)同時(shí)寫出它們對(duì)應(yīng)的英文縮寫?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類?,半導(dǎo)體集成電路分為哪幾類??它對(duì)集成電路工藝有何影響?:集成度、wafersize、diesize、摩爾定律?第1章集成電路的基本制造工藝?,襯底材料電阻率的選取對(duì)器件有何影響?。????并請(qǐng)?zhí)岢龈倪M(jìn)方法。7.請(qǐng)畫出N
2025-06-19 16:51
【總結(jié)】123456789101112131415161718192021222324252627
2025-08-05 16:51
【總結(jié)】1第六章光刻工藝§1基本概念2一、光刻的定義:光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。二、光刻的目的:光刻的目的就是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形,從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的。3三、工藝流程:以負(fù)膠為例來(lái)說(shuō)明這八個(gè)步驟,一般可分為
【總結(jié)】集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)第三章集成電路制造工藝華南理工大學(xué)電子與信息學(xué)院廣州集成電路設(shè)計(jì)中心殷瑞祥教授第3章IC制造工藝外延生長(zhǎng)掩膜制作光刻原理與流程氧化淀積與刻蝕摻雜原理與工藝2關(guān)心每一步工藝對(duì)器件性
【總結(jié)】電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-121第1章集成電路設(shè)計(jì)導(dǎo)論1、微電子(集成電路)技術(shù)概述2、集成電路設(shè)計(jì)步驟及方法電子科學(xué)與工程學(xué)院南京郵電大學(xué)2022-6-122?“自底向上”(Bottom-up)“自底向上”的設(shè)計(jì)路線,即自工藝開始,先進(jìn)行單元設(shè)計(jì),在精心設(shè)計(jì)
2025-04-29 03:20
【總結(jié)】《集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》山東大學(xué)信息學(xué)院劉志軍BCEP+P+PMOSN+PN阱N阱縱向NPN-SUBP+N+N+NMOS-P-epiN+N+-BLN+-BL2022/2/13《集成電路設(shè)
2025-01-17 09:42