集成電路設(shè)計ppt課件-資料下載頁
2025-05-04 18:03本頁面
【正文】 159 圖 第四章 雙極型集成電路基本制造工藝相應(yīng)的版圖 第一次光刻 N+埋層擴散孔光刻 埋層氧化 外延 第四章 第二次光刻 P+隔離擴散孔光刻 第三次光刻 P型基區(qū)擴散孔光刻 第四章 第四次光刻 N+發(fā)射區(qū)擴散孔、 集電極引線擴散孔光刻 第五次光刻 引線接觸孔光刻 第四章 第六次光刻 金屬化內(nèi)連線光刻 反刻鋁 第四章 柵壓為零時，溝道不存在， 加上一個正的柵壓才能形 成 N型溝道 柵壓為零時，溝道已存 在，加上一個負(fù)的柵壓 才能使 N型溝道消失 柵壓為零時，溝道不存 在，加上一個負(fù)的柵壓 才能形成 P型溝道。 柵壓為零時，溝道已存 在，加上一個正的柵壓 可以使 P型溝道消失 第四章 硅柵 CMOS器件 (反相器 ) 一個增強型 nMOS和增強型 PMOS組成 第四章 第四章 CMOS反相器工作原理 輸入端高電平時： nMOS管導(dǎo)通， pMOS截止，輸出端通過導(dǎo)通 的 nMOS管接地，輸出端呈低電平 輸入端低電平時： pMOS管導(dǎo)通， nMOS截止，輸出端通過導(dǎo)通 的 pMOS管接到 VDD上，呈現(xiàn)高電平 第四章 N阱 CMOS設(shè)計規(guī)則 ?表 規(guī)則工藝的特征尺寸，版圖基本幾何圖形及間隔 ?MOS自隔離， P型襯底接地 (Vss)， N阱區(qū)接 VDD ?多晶硅作引線，為降低電阻，減小功耗，提高速度。多晶硅要重?fù)诫s N+ ?減小接觸電阻，金屬與 N+和 P+接觸連接 (歐姆接觸 )；金屬與多晶硅和襯底接觸，需增大接觸面積 ?第四章 N阱硅柵 CMOS工藝流程 CMOS反相器 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 第四章 版圖設(shè)計 主要規(guī)定了掩模版各層圖形的 寬度 、 間隔 、 重疊 和 兩個獨立的層間距離 等的最小允許值 第四章 第四章 六 . 雙極和 MOS集成電路的比較 制造工藝 MOS電路的源 、 漏極可 同時擴散 ， 只需 1次擴散就形成 。 一般 雙極電路至少需 5次 。 工序和時間多 ， 所以引入缺陷多 ，成品率低 。 互連線 IC中 互連線占的面積非常大 。 因 雙極電路 輸入阻抗低 ，要比 MOS互連線多許多 。 MOS可用 硅柵電極和部分多晶硅互連線 進行工作 。 集成度 雙極電路一般用 PN結(jié) 隔離所需尺寸大 ， 集成度遠小于 MOS型 。 性能 雙極管的跨導(dǎo)與工作電流成正比與器件尺寸無關(guān) ， MOS則有關(guān) ， 所以電流過大 、 過高速不適應(yīng) 。 第四章 掌握各種電阻、電容，電感，認(rèn)識相應(yīng)的結(jié)構(gòu)圖 擴散電阻的最小線寬受哪些因素限制，理解每一種因素 理解版圖設(shè)計規(guī)則和按比例縮小原則 PNP晶體管和雙極集成電路版圖的設(shè)計 CMOS反相器原理，結(jié)構(gòu)圖以及 N阱硅柵 CMOS工藝 雙極和 MOS集成電路比較
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