第1章+集成電路制造工藝(文件)
【正文】 韓 良 52 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 Bi CMOS工藝 雙極工藝器件的特點(diǎn)是速度高、驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)，但功耗大、集成度低；而 CMOS工藝制造的器件功耗小、集成度高，但速度低、驅(qū)動(dòng)能力差。 N阱硅柵 CMOS集成電路 制造 工藝 2/1/2023 韓 良 30 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 思考題 ？各自的作用是什么？ （ LOCOS ) ？ （ Local Oxidation of Silicon) (Self Aligned )？ 4. N阱的作用是什么？ 5. NMOS和 PMOS的源漏如何形成的？ 2/1/2023 韓 良 31 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 P+/P外延片 P型單晶片 2/1/2023 韓 良 32 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 PSub 主要工藝流程 2. 氧化、光刻 N阱 (nwell) 2/1/2023 韓 良 33 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 3. N阱注入， N阱推進(jìn) ,退火，清潔表面 N阱 PSub 2/1/2023 韓 良 34 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 PSub N阱 主要工藝流程 4. 長(zhǎng)薄氧、長(zhǎng)氮化硅、光刻場(chǎng)區(qū) (active反版 ) 2/1/2023 韓 良 35 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 PSub 主要工藝流程 （ LOCOS） , 清潔表面 (場(chǎng)區(qū)氧化前可做 N管場(chǎng)區(qū)注入和 P管場(chǎng)區(qū)注入） 2/1/2023 韓 良 36 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 PSub 主要工藝流程 6. 柵氧化 ,淀積多晶硅，反刻多晶 （ polysilicon—poly) 2/1/2023 韓 良 37 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 7. P+ active注入 （ Pplus） （ 硅柵自對(duì)準(zhǔn)） PSub 2/1/2023 韓 良 38 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 8. N+ active注入 （ Nplus —Pplus反版） （ 硅柵自對(duì)準(zhǔn)） PSub 2/1/2023 韓 良 39 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 9. 淀積 BPSG，光刻接觸孔 (contact)， 回流 PSub 2/1/2023 韓 良 40 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 10. 蒸鍍金屬 1，反刻金屬 1（ metal1) PSub 2/1/2023 韓 良 41 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 11. 絕緣介質(zhì)淀積，平整化，光刻通孔 (via) PSub 2/1/2023 韓 良 42 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 12. 蒸鍍金屬 2，反刻金屬 2（ metal2) PSub 2/1/2023 韓 良 43 國(guó)際微電子中心 集成電路設(shè)計(jì)原理 主要工藝流程 13. 鈍化層淀積，平整化，光刻鈍化窗孔 (pad
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