【正文】 地作熱運(yùn)動(dòng)，有的雜質(zhì)粒子獲得了較大的動(dòng)能得以脫離硅片表面重新回到周圍環(huán)境中 吸附放熱，解吸吸熱，以各種方法為雜質(zhì)粒子解吸提供所需能量，形成各種不同的清洗方法 常用的清洗方法：濕法化學(xué)清洗；兆聲清洗；干法清洗；刷片清洗；激光清洗 被吸附雜質(zhì)的存在狀態(tài)：分子型、離子型、原子型 分子型雜質(zhì)與硅片表面吸附力較弱，多屬油脂類物質(zhì) 離子型和原子型雜質(zhì)屬化學(xué)吸附，吸附力較強(qiáng) 清洗順序：去分子－去離子－去原子－去離子水沖洗－烘干、甩干 分子型雜質(zhì)對(duì)離子及原子型雜質(zhì)有掩蔽作用，應(yīng)先去除。具有極強(qiáng)滲透力的活性劑分子可深入硅片表面與吸附物之間，起劈開的作用，活性劑分子將顆粒托起并吸附于硅片表面上，降低表面能。硝酸為氧化劑，氫氟酸為絡(luò)合劑。 B、 在腐蝕過程中不會(huì)與反應(yīng)產(chǎn)物發(fā)生進(jìn)一步。常用的有：醋酸（ CH3COOH)及磷酸 (H3PO4) 酸性腐蝕的特性 腐蝕后的晶片要求一定的 TTV(Total Thickness Variation） 。 堿性腐蝕 堿性腐蝕適宜于直徑較大的硅片，有較好的均勻度。 2. 預(yù)先在拋光輪上切出硅片外圓形狀再進(jìn)行拋光，拋光輪為發(fā)泡固化的聚氨脂。反之，若機(jī)械磨削作用大于化學(xué)腐蝕作用，表面產(chǎn)生高損傷層。 3. 壓力的影響：壓力增加拋光速度增加，但如過大會(huì)增加表面劃傷，溫度不好控制。 6. 轉(zhuǎn)盤的旋轉(zhuǎn)速度：轉(zhuǎn)速過高，拋光液較難均勻分布在拋光墊上，易掉片，損傷層大。 B 無紡布拋光墊：用于細(xì)拋光，材料為聚合物棉絮類纖維，經(jīng)針孔加工形成毛毯結(jié)構(gòu)后，在聚合物的化學(xué)溶液槽中浸泡在烘烤 C 絨毛結(jié)構(gòu)拋光墊：用于精拋光，基材為無紡布，中間層為聚合物微孔層，表面層為多孔性的絨毛結(jié)構(gòu)。需控制顆粒大小、硬度及分散度。 SiO2 固體濃度： 2％～ 50％，粗拋光液顆粒較大， PH值 ～ ；精拋光液顆粒較小， PH值 ～ 精拋光工藝須解決的問題 精拋光工藝須解決的問題有：表面劃傷、拋光霧、金屬離子沾污、殘余顆粒難清除（這些影響器件的電特性，低擊穿、漏電流增加） 選用高純 SiO2為基材，有機(jī)堿為分散介質(zhì)的無鈉拋光液，適用于 MOS器件的硅片精拋光，以拋光片無霧和減少表面氧化層錯(cuò)（ OSF)為目的。 活性劑影響吸附的作用機(jī)理：活性劑分散于水中，當(dāng)用到表面能量很高的硅單晶新拋鏡面時(shí)，優(yōu)先吸附于表面上。 拋光霧出現(xiàn)的原因： A 拋光布的老化（可用加時(shí)和增加去除量的方法解決）； B 拋光液的選擇； C 活性劑、潤滑劑、壓力的選擇 拋光硅片表面質(zhì)量 2. 表面質(zhì)量有關(guān)參數(shù)（用 Zygo、 Wyko、 AFM、 α－ step儀器測量） A TTV： 硅片的最大及最小的厚度差。顆粒被機(jī)械性地嵌入硅片表面，或由于靜電力 或原子力而物理粘附在被拋光的硅片表面。 5℃ 10min 去金屬離子 去金屬原子 去一般金屬離子， K,Na等 Ⅲ 號(hào)洗液 H2SO4:H2O2 =3:1 120177。 02:41:1002:41:1002:411/24/2023 2:41:10 AM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見頻。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 41分 10秒 02:41: ? 1比不了得就不比，得不到的就不要。 上午 2時(shí) 41分 10秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: ? 沒有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 02:41:1002:41:1002:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1不知香積寺，數(shù)里入云峰。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 02:41:1002:41:1002:411/24/2023 2:41:10 AM ? 1越是沒有本領(lǐng)的就越加自命不凡。 :41:1002:41:10January 24, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 上午 2時(shí) 41分 10秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: MOMODA POWERPOINT Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus. 感 謝 您 的 下 載 觀 看 專家告訴 。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 02:41:1002:41:1002:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1知人者智，自知者明。 上午 2時(shí) 41分 10秒 上午 2時(shí) 41分 02:41: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 1月 24日星期二 上午 2時(shí) 41分 10秒 02:41: ? 1楚塞三湘接，荊門九派通。 02:41:1002:41:1002:411/24/2023 2:41:10 AM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 2023年 1月 上午 2時(shí) 41分 :41January 24, 2023 ? 1行動(dòng)出成果，工作出財(cái)富。 02:41:1002:41:1002:41Tuesday, January 24, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 配制 2液：先倒入 6份的 DI水，再倒入 1份的鹽酸，最后倒入1份的雙氧水 作用：鹽酸與含 Na的鹽反應(yīng)，除去 Na離子 配制 3液：先倒入 H2O2,再將 99％濃硫酸倒入雙氧水中，會(huì)發(fā)生劇烈放熱反應(yīng)，使用及配制時(shí)需特別小心 作用：使光刻膠氧化（碳化） 當(dāng)前硅圓片的典型規(guī)格 1. 清潔度（顆粒 /cm2） 2. 氧濃度（ cm－ 3） 3. 碳濃度（ cm－ 3） 4. 金屬沾污（ ppb十億分之一） 5. 原生位錯(cuò)（ cm－ 2） 6. 氧誘生堆垛層錯(cuò)（ cm－ 3） 3 7. 直徑、厚度、翹曲、平行度、 8. 電阻率、載流子濃度、遷移率、腐蝕坑密度 ? 靜夜四無鄰，荒居舊業(yè)貧。 硅片的清洗 名稱 配方 使用條件 作用 備注 Ⅰ 號(hào)洗液 NH4OH:H2O2:H2O =1:1:5→1:2:7 80177?？刂圃?2um以下（光刻對(duì)焦要求） 拋光硅片表面質(zhì)量 C FPD： 硅片表面一點(diǎn)與參考平面之間的最大距離 拋光硅片表面質(zhì)量 D： 平整度（ DP） DP（％）＝（ 1－ SHpost/ SHpre ） 100％ SHpost＝ CMP之后在硅片表面的一個(gè)特殊位置最高和最低臺(tái)階的高度差 SHpre＝ CMP之前在硅片表面的一個(gè)特殊位置最高和最低臺(tái)階的高度差 注意：平整度與均勻性概念的區(qū)別，平整度為局部概念。 拋光硅片表面質(zhì)量 1. 拋光霧；在強(qiáng)聚光燈下觀察到的拋光霧實(shí)質(zhì)是密度高達(dá) 105cm－ 2以上的微淺損傷缺陷，在強(qiáng)聚光照射下產(chǎn)生光的漫散射，肉眼感覺為霧。 1. 堿的選擇：粗拋用 NaOH，精拋用氨水、不含堿金屬離子的有機(jī)胺。 4. PH穩(wěn)定劑：防止拋光液存放時(shí) PH值發(fā)生變化。 拋光液 拋光液的基本要求：流動(dòng)性好，不易沉淀和結(jié)塊，懸浮性能好，無毒，拋光速率快，硅片表面質(zhì)量好，便于清洗。選擇拋光墊材料時(shí)須考慮－－ 材質(zhì)、密度、厚度、表面形態(tài)、化學(xué)穩(wěn)定性、壓縮性、彈性系數(shù)、硬度等。 5. 流量的影響：流量小，摩擦力大，溫度分布不均，降低硅片表面的平坦地。在相同的 PH值下，有機(jī)堿的拋光速度大于無機(jī)堿。 SiO2還有催化反應(yīng)作用。 堿性腐蝕劑： KOH或 NaOH, 濃度 30%～ 50%反應(yīng)溫度 60～ 120℃ ，溫度高不易遺留斑點(diǎn)，當(dāng)易造成金屬污染。 影響因素：晶片旋轉(zhuǎn)速度；打入氣泡方式（由酸槽下方打入氣泡或超聲波提高反應(yīng)物與反應(yīng)產(chǎn)物的交換速度與均一性）；