集成電路制備工藝-wenkub
2023-01-27 12:24:48 本頁(yè)面
【正文】 變 化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改 變v正膠： 分辨率高，在超大 規(guī) 模集成 電 路工 藝 中，一般只采用正膠v負(fù) 膠： 分辨率差，適于加工 線寬 ≥3?m的 線 條微電子技術(shù)課程 ppt微電子技術(shù)課程 ppt集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝正膠：曝光后可溶 分辨率高負(fù)膠：曝光后不可溶 分辨率差集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝圖形轉(zhuǎn)換： 光刻幾種 常見的光刻方法接觸式光刻、接近式曝光、投影式曝光微電子技術(shù)課程 ppt集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝圖形轉(zhuǎn)換： 光刻167。晶體管 10,000,001個(gè)以上。Scale100,001~10M個(gè) 。Integration,英文全名 為 或 large1,001~10k個(gè)。Integration,v 大 規(guī) 模集成 電 路： LSI邏輯門 11~100個(gè) 英文全名 為 或 Smallv按制作 工 藝 ： 半 導(dǎo) 體集成 電 路 和 膜集成 電路 。它在 電 路中用字母 “IC”表示。circuit）是一種微型 電 子器件或部件。采用一定的工 藝 ，把一個(gè) 電 路中所需的晶體管、二極管、電 阻、 電 容和 電 感等元件及布 線 互 連 一起，制作在一小 塊 或 集成電路分類v按其 功能 結(jié) 構(gòu) ：可以 分 為 模 擬 集成 電 路、數(shù)字集成 電 路 和 數(shù) /模混合集成 電 路 三大 v按 導(dǎo)電 類 型： 雙極型集成 電 路 和 單 極型集成 電 路 ，他 們 都是數(shù)字集成 電 路。Scale晶體管 Medium或 英文全名 為 邏輯門101~1k個(gè) v 超大 規(guī) 模集成 電 路： VLSIscale晶體管 Ultra邏輯門 10,001~1M個(gè) v 巨大 規(guī) 模集成 電 路： GLSIIntegration,微電子技術(shù)課程 ppt集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝前部工序的主要 工 藝 1. 接觸式 光刻： 分辨率 較 高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的 損傷 。n 干法刻 蝕主要指利用低 壓 放 電產(chǎn) 生的等離子體中的離子或游離基（ 處 于激 發(fā)態(tài) 的分子、原子及各種原子基 團(tuán) 等）與材料 發(fā) 生化學(xué)反 應(yīng) 或通 過轟擊 等物理作用而達(dá)到刻 蝕 的目的。 缺點(diǎn)是 鉆蝕嚴(yán) 重、 對(duì)圖 形的控制性 較 差微電子技術(shù)課程 ppt集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)v干法刻蝕v濺 射與離子束 銑蝕 ： 通 過 高能惰性氣體離子的物理 轟擊作用刻 蝕 ，各向異性性好，但 選擇 性 較 差v 等離子刻 蝕 (PlasmaEtching， 簡(jiǎn) 稱 為 RIE)： 通 過活性離子 對(duì)襯 底的物理 轟擊 和化學(xué)反 應(yīng) 雙重作用刻 蝕 。 一般要在很高的溫度 (950～ 1280℃ )下 進(jìn) 行167。 擴(kuò) 散系數(shù)要比替位式 擴(kuò) 散大 6～ 7個(gè)數(shù)量 級(jí)微電子技術(shù)課程 ppt微電子技術(shù)課程 ppt集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝替位式 擴(kuò) 散 低 擴(kuò) 散率雜質(zhì) 離子占據(jù)硅原子的位置（ Ar、 P）雜質(zhì)摻雜 ： 擴(kuò) 散間 隙式 擴(kuò) 散 高 擴(kuò) 散率雜質(zhì) 離子位于晶格 間 隙（ Au、 Cu、 Ni）集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝雜質(zhì)摻雜 ： 擴(kuò) 散微電子技術(shù)課程 ppt橫向 擴(kuò) 散集成 電 路生 產(chǎn) 工 藝離子注入v離子注入：將具有很高能量的雜質(zhì)離子射入半導(dǎo)體襯底中的摻雜技術(shù)，摻雜深度由注入雜質(zhì)離子的能量和質(zhì)量決定，摻雜濃度由注入雜質(zhì)離子的數(shù)目 (劑量 )決定 167。 可以注入各種各樣的元素167。 激活雜質(zhì)：使不在晶格位置上的離子運(yùn)動(dòng)到晶格位置，以便具有電活性，產(chǎn)生自由載流子，起到雜質(zhì)的作用167。選擇 SiO2的原因l化學(xué)性 質(zhì) 非常 穩(wěn) 定l能很好的附著在大多數(shù)材料上l光刻掩蔽（ 擴(kuò) 散掩蔽 層 ，離子注入阻 擋層）l 濕氧氧化167。Deposition)： 通過 氣 態(tài) 物 質(zhì) 的化學(xué)反 應(yīng) 在 襯 底上淀 積 一 層 薄膜材料的 過程vCVD技 術(shù) 特點(diǎn)：167。低 壓 化學(xué)氣相淀 積 （ LPCVD）；(3) PVD以真空、 濺 射、離子化或離子束等方法使純金屬揮發(fā)，與碳化 氫 、氮?dú)獾葰怏w作用，
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