【正文】 36． 阻擋層金屬是一類具有（ 高熔點(diǎn) ）的難熔金屬，金屬鋁和銅的阻擋層金屬分別是（W ）和（ W ）。32． 濺射現(xiàn)象是在（ ）中觀察到的，集成電路工藝中利用它主要用來(lái)（ ），還可以用來(lái)（ ）。29． HDPCVD工藝使用同步淀積和刻蝕作用，其表面反應(yīng)分為：（ ）、（ ）、（ ）、熱中性CVD和反射。26． 化學(xué)氣相淀積是通過(guò)（ ）的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層（ ）的工藝。24． 如果淀積的膜在臺(tái)階上過(guò)度地變薄，就容易導(dǎo)致高的（ 膜應(yīng)力 ）、（ 電短路 ）或者在器件中產(chǎn)生不希望的（ 誘生電荷 ）。21． 淀積膜的過(guò)程有三個(gè)不同的階段。17． 硅片上的氧化物主要通過(guò)（ 熱生長(zhǎng) ）和（ 淀積 ）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（ 薄膜 ）。13． 用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分：（ 工藝腔 ）、（ 硅片傳輸系統(tǒng) ）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（ 溫控系統(tǒng) ）。9． 制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過(guò)程：1（ 制備工業(yè)硅 ）；2（ 生長(zhǎng)硅單晶 ）；3（ 提純）。6． CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅是把（ 融化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體 ）變?yōu)椋? 有正確晶向的 ）并且（ 被摻雜成p型或n型 ）的固體硅錠。2． 單晶硅生長(zhǎng)常用（ CZ法 ）和（ 區(qū)熔法 ）兩種生長(zhǎng)方式，生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（ 硅錠 ）。3． 晶圓的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 鍺 ）。7． CZ直拉法的目的是（ 實(shí)現(xiàn)均勻摻雜的同時(shí)并且復(fù)制仔晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中 ）。氧化10． 二氧化硅按結(jié)構(gòu)可分為（ ）和（ ）或（ ）。14． 選擇性氧化常見(jiàn)的有（ 局部氧化 ）和（ 淺槽隔離 ），其英語(yǔ)縮略語(yǔ)分別為L(zhǎng)OCOS和（ STI ）。18． 熱氧化的目標(biāo)是按照（ ）要求生長(zhǎng)（ ）、（ ）的二氧化硅薄膜。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 匯聚成膜 ）。25． 深寬比定義為間隙得深度和寬度得比值。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被（ ）來(lái)向反應(yīng)系統(tǒng)提供附加的能量。金屬化30． 金屬按其在集成電路工藝中所起的作用，可劃分為三大類：（ ）、（ ）和（ ）。33． 對(duì)芯片互連的金屬和金屬合金來(lái)說(shuō)，它所必備一些要求是：（ 導(dǎo)電率 ）、高黏附性、（ 淀積 ）、（ 平坦化 ）、可靠性、抗腐蝕性、應(yīng)力等。37． 多層金屬化是指用來(lái)（ ）硅片上高密度堆積器件的那些（ ）和（ ）。這些被撞擊出的原子穿過(guò)（ ），最后淀積在硅片上。兩種最常用的原位終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)是（ 電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(cè) ）和（ 光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè) ）。46． CMP是一種表面（ 全局平坦化 ）的技術(shù)，它通過(guò)硅片和一個(gè)拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有（ 磨料 ），并同時(shí)施加（ 壓力 ）。49． 反刻屬于（ ）的一種，表面起伏可以用一層厚的介質(zhì)或其他材料作為平坦化的犧牲層，這一層犧牲材料填充（ ），然后用（ ）技術(shù)來(lái)刻蝕這一犧牲層，通過(guò)用比低處快的刻蝕速率刻蝕掉高處的圖形來(lái)使表面的平坦化。53． 光學(xué)光刻中，把與掩膜版上圖形（ ）的圖形復(fù)制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻；把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻。57． 光刻使用（ ）材料和可控制的曝光在硅片表面形成三維圖形，光刻過(guò)程的其它說(shuō)法是（ ）、光刻、掩膜和（ ）。前者是（ ）尺寸下刻蝕器件的最主要方法，后者一般只是用在大于3微米的情況下。64． 刻蝕是用（ 化學(xué)方法 ）或（ 物理方法 ）有選擇地從硅片表面去除不需要材料的工藝過(guò)程，其基本目標(biāo)是（ 在涂膠的硅片上正確地復(fù)制掩膜圖形 ）。68． 刻蝕有9個(gè)重要參數(shù)：（ ）、（ ）、刻蝕偏差、（ ）、均勻性、殘留物、聚合物形成、等離子體誘導(dǎo)損傷和顆粒污染。72． 摻雜被廣泛應(yīng)用于硅片制作的全過(guò)程，硅芯片需要摻雜（ ）和VA族的雜質(zhì)，其中硅片中摻入磷原子形成（ ）硅片，摻入硼原子形成（ ）硅片。75． 擴(kuò)散是物質(zhì)的一個(gè)基本性質(zhì)，描述了（ 一種物質(zhì)在另一種物質(zhì)中的運(yùn)動(dòng) ）的情況。77． 硅中固態(tài)雜質(zhì)的熱擴(kuò)散需要三個(gè)步驟：（ 預(yù)淀積 ）、（ 推進(jìn) ）和（ 激活 ）。離子注入80． 注入離子的能量可以分為三個(gè)區(qū)域：一是（ ），二是（ ），三是（ ）。聚束離子束通常很小，必須通過(guò)掃描覆蓋整個(gè)硅片 。常采用兩種技術(shù)（ ）和（ ）來(lái)冷卻硅片。87． 離子注入設(shè)備包含6個(gè)部分：（ ）、引出電極、離子分析器、（ ）、掃描系統(tǒng)和（ ）。91． 集成電路的發(fā)展時(shí)代分為：（ 小規(guī)模集成電路SSI ）、中規(guī)模集成電路MSI、（ 大規(guī)模集成電路LSI ）、超大規(guī)模集成電路VLSI、（ 甚大規(guī)模集成電路 ULSI ）。94． 原氧化生長(zhǎng)的三種作用是：（ ）；（ ）；（ ）。97． 光刻區(qū)位于硅片廠的中心，經(jīng)過(guò)光刻處理的硅片只流入兩個(gè)區(qū)，因此只有三個(gè)區(qū)會(huì)處理涂膠的硅片，它們是（ ）、（ ）和（ ）。（ √）2． 冶金級(jí)硅的純度為98%。（ √ ）6． 用來(lái)制造MOS器件最常用的是（100）面的硅片，這是因?yàn)椋?00）面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開(kāi)態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。（ √ ）10． 成品率是指在一片晶圓上所有芯片中好芯片所占的百分比。（ √ ）13． 二氧化硅是一種介質(zhì)材料，不導(dǎo)電。（√）17． 氧化物有兩個(gè)生長(zhǎng)階段來(lái)描述，分別是線性階段和拋物線階段。（ √ ）淀積21． CVD是利用某種物理過(guò)程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。（√ ）25． 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是APCVD。（ √ ）29． 與APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的產(chǎn)量以及更好的膜性能，因此應(yīng)用更為廣泛。（ √ ）32． 大馬士革工藝來(lái)源于一種類似精制的鑲嵌首飾或藝術(shù)品的圖案。（ ）36． 多層金屬化指用來(lái)連接硅片上高密度堆積器件的那些金屬層。（ ）40． 濺射是個(gè)化學(xué)過(guò)程，而非物理過(guò)程。（ √ ）44． 反刻是一種傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)，它能夠?qū)崿F(xiàn)全局平坦化。小而難以發(fā)現(xiàn)的微擦痕導(dǎo)致淀積的金屬中存在隱藏區(qū)，可能引起同一層金屬之間的斷路。（ ）光刻51． 最早應(yīng)用在半導(dǎo)體光刻工藝中的光刻膠是正性光刻膠。（ √ ）55． 對(duì)正性光刻來(lái)說(shuō)，剩余不可溶解的光刻膠是掩膜版圖案的準(zhǔn)確復(fù)制。（ √）59． 投影掩膜版上的圖形是由金屬鉭所形成的。（√ ）63． 不正確的刻蝕將導(dǎo)致硅片報(bào)廢，給硅片制造公司帶來(lái)?yè)p失。（√ ）67． 在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，濕法腐蝕是最主要的用來(lái)去除表面材料的刻蝕方法。（ √）擴(kuò)散 71． 在晶片制造中，有兩種方法可以向硅片中引入雜質(zhì)元素，即熱擴(kuò)散和離子注入。（ ） 75． CD越小，源漏結(jié)的摻雜區(qū)越深。（ ）水分子擴(kuò)散的各向異性79． 硅中的雜質(zhì)只有一部分被真正激活，并提供用于導(dǎo)電的電子或空穴（大約3%~5%），大多數(shù)雜質(zhì)仍然處在間隙位置，沒(méi)有被電學(xué)激活。（√ ）82． 離子注入中靜電掃描的主要缺點(diǎn)是離子束不能垂直轟擊硅片，會(huì)導(dǎo)致光刻材料的陰影效應(yīng)，阻礙離子束的注入。（ √ ）86． 離子注入是一個(gè)物理過(guò)程，不發(fā)生化學(xué)反應(yīng)。（ ）90． 離子注入中高能量意味著注入硅片更深處，低能量則用于超淺結(jié)注入。簡(jiǎn)而言之，這些操作可以分為四大基本類：薄膜