【正文】 別是（ ）、（ ）、（ ）和添加劑。53． 光學(xué)光刻中，把與掩膜版上圖形（ ）的圖形復(fù)制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻；把與掩膜版上相同的圖形復(fù)制到硅片表面的光刻是（ ）性光刻。51． 光刻包括兩種基本的工藝類型：負(fù)性光刻和（ 正性光刻 ），兩者的主要區(qū)別是所用光刻膠的種類不同，前者是（ 負(fù)性光刻膠 ），后者是（ 正性光刻膠 ）。49． 反刻屬于（ ）的一種，表面起伏可以用一層厚的介質(zhì)或其他材料作為平坦化的犧牲層，這一層犧牲材料填充（ ），然后用（ ）技術(shù)來(lái)刻蝕這一犧牲層，通過(guò)用比低處快的刻蝕速率刻蝕掉高處的圖形來(lái)使表面的平坦化。常用的有（ ）、金屬鎢磨料、（ ）和特殊應(yīng)用磨料。46． CMP是一種表面（ 全局平坦化 ）的技術(shù)，它通過(guò)硅片和一個(gè)拋光頭之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)來(lái)平坦化硅片表面，在硅片和拋光頭之間有（ 磨料 ），并同時(shí)施加（ 壓力 ）。44． 20世紀(jì)80年代后期，（ ）開(kāi)發(fā)了化學(xué)機(jī)械平坦化的（ ），簡(jiǎn)稱（ ），并將其用于制造工藝中對(duì)半導(dǎo)體硅片的平坦化。兩種最常用的原位終點(diǎn)檢測(cè)技術(shù)是（ 電機(jī)電流終點(diǎn)檢測(cè) ）和（ 光學(xué)終點(diǎn)檢測(cè) ）。41． 列舉硅片制造中用到CMP的幾個(gè)例子：（ ）、LI氧化硅拋光、（ ）、（ ）、鎢塞拋光和雙大馬士革銅拋光。這些被撞擊出的原子穿過(guò)（ ），最后淀積在硅片上。39． 濺射主要是一個(gè)（ ）過(guò)程，而非化學(xué)過(guò)程。37． 多層金屬化是指用來(lái)（ ）硅片上高密度堆積器件的那些（ ）和（ ）。35． 寫(xiě)出三種半導(dǎo)體制造業(yè)的金屬和合金（ Al ）、（ Cu ）和（ 鋁銅合金 ）。33． 對(duì)芯片互連的金屬和金屬合金來(lái)說(shuō)，它所必備一些要求是：（ 導(dǎo)電率 ）、高黏附性、（ 淀積 ）、（ 平坦化 ）、可靠性、抗腐蝕性、應(yīng)力等。其中輝光放電區(qū)包括前期輝光放電區(qū)、（ ）和（ ），則濺射區(qū)域選擇在（ ）。金屬化30． 金屬按其在集成電路工藝中所起的作用，可劃分為三大類：（ ）、（ ）和（ ）。28． 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界第一種類型的CVD是（ ），其發(fā)生在（ ）區(qū)域，在任何給定的時(shí)間，在硅片表面（ ）的氣體分子供發(fā)生反應(yīng)。硅片表面及其鄰近的區(qū)域被（ ）來(lái)向反應(yīng)系統(tǒng)提供附加的能量。高深寬比的間隙使得難于淀積形成厚度均勻的膜，并且會(huì)產(chǎn)生（ ）和（ ）。25． 深寬比定義為間隙得深度和寬度得比值。23． 在外延工藝中，如果膜和襯底材料（ 相同 ），例如硅襯底上長(zhǎng)硅膜，這樣的膜生長(zhǎng)稱為（ 同質(zhì)外延 ）；反之，膜和襯底材料不一致的情況，例如硅襯底上長(zhǎng)氧化鋁，則稱為（ 異質(zhì)外延 ）。第一步是（ 晶核形成 ），第二步是（ 聚焦成束 ），第三步是（ 匯聚成膜 ）。淀積20． 目前常用的CVD系統(tǒng)有：（ APCVD ）、（ LPCVD ）和（ PECVD ）。18． 熱氧化的目標(biāo)是按照（ ）要求生長(zhǎng)（ ）、（ ）的二氧化硅薄膜。16． 可在高溫設(shè)備中進(jìn)行的五種工藝分別是（ 氧化 ）、（ 擴(kuò)散 ）、（ ）、退火和合金。14． 選擇性氧化常見(jiàn)的有（ 局部氧化 ）和（ 淺槽隔離 ），其英語(yǔ)縮略語(yǔ)分別為L(zhǎng)OCOS和（ STI ）。12． 根據(jù)氧化劑的不同，熱氧化可分為（ 干氧氧化 ）、（ 濕氧氧化 ）和（ 水汽氧化 ）。氧化10． 二氧化硅按結(jié)構(gòu)可分為（ ）和（ ）或（ ）。8． 晶圓制備中的整型處理包括（ 去掉兩端 ）、（ 徑向研磨 ）和（ 硅片定位邊和定位槽 ）。7． CZ直拉法的目的是（ 實(shí)現(xiàn)均勻摻雜的同時(shí)并且復(fù)制仔晶的結(jié)構(gòu)，得到合適的硅錠直徑并且限制雜質(zhì)引入到硅中 ）。5． 從半導(dǎo)體制造來(lái)講，晶圓中用的最廣的晶體平面的密勒符號(hào)是（ 100 ）、（110 ）和（111 ）。3． 晶圓的英文是（ wafer ），其常用的材料是（ 硅 ）和（ 鍺 ）。集成電路工藝原理相關(guān)試題作者：日期：一、填空題（30分=1分*30）10題/章晶圓制備1． 用來(lái)做芯片的高純硅被稱為（ 半導(dǎo)體級(jí)硅 ），英文簡(jiǎn)稱（ GSG ），有時(shí)也被稱為（ 電子級(jí)硅 ）。2． 單晶硅生長(zhǎng)常用（ CZ法 ）和（ 區(qū)熔法 ）兩種生長(zhǎng)方式，生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（ 硅錠 ）。4． 晶圓制備的九個(gè)工藝步驟分別是（ 單晶生長(zhǎng) ）、整型、（ 切片 ）、磨片倒角、刻蝕、（ 拋光 ）、清洗、檢查和包裝。6． CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅是把（ 融化了的半導(dǎo)體級(jí)硅液體 ）變?yōu)椋? 有正確晶向的 ）并且（ 被摻雜成p型或n型 ）的固體硅錠。影響CZ直拉法的兩個(gè)主要參數(shù)是（ 拉伸速率 ）和（ 晶體旋轉(zhuǎn)速率 ）。9． 制備半導(dǎo)體級(jí)硅的過(guò)程：1（ 制備工業(yè)硅 ）；2（ 生長(zhǎng)硅單晶 ）；3（ 提純）。11． 熱氧化工藝的基本設(shè)備有三種：（ 臥式爐 ）、（ 立式爐 ）和（ 快速熱處理爐 ）。13． 用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)分為五部分：（ 工藝腔 ）、（ 硅片傳輸系統(tǒng) ）、氣體分配系統(tǒng)、尾氣系統(tǒng)和（ 溫控系統(tǒng) ）。15． 列出熱氧化物在硅片制造的4種用途：（ 摻雜阻擋 ）、（ 表面鈍化 ）、場(chǎng)氧化層和（ 金屬層間介質(zhì) ）。17． 硅片上的氧化物主要通過(guò)（ 熱生長(zhǎng) ）和（ 淀積 ）的方法產(chǎn)生，由于硅片表面非常平整，使得產(chǎn)生的氧化物主要為層狀結(jié)構(gòu)，所以又稱為（ 薄膜 ）。19． 立式爐的工藝腔或爐管是對(duì)硅片加熱的場(chǎng)所，它由垂直的（ 石英工藝腔 ）、（ 加熱器 ）和（ 石英舟 ）組成。21． 淀積膜的過(guò)程有三個(gè)不同的階段。22． 縮略語(yǔ)PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名稱分別是（ 等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積 ）、（ 低壓化學(xué)氣相淀積 ）、高密度等離子體化學(xué)氣相淀積、和（ 常壓化學(xué)氣相淀積 ）。24． 如果淀積的膜在臺(tái)階上過(guò)度地變薄，就容易導(dǎo)致高的（ 膜應(yīng)力 ）、（ 電短路 ）或者在器件中產(chǎn)生不希望的（ 誘生電荷 ）。高的深寬比的典型值大于（ ）。26． 化學(xué)氣相淀積是通過(guò)（ ）的化學(xué)反應(yīng)在硅片表面淀積一層（ ）的工藝。27． 化學(xué)氣相淀積的基本方面包括：（ ）；（ ）；（ ）。29． HDPCVD工藝使用同步淀積和刻蝕作用，其表面反應(yīng)分為：（ ）、（ ）、（ ）、熱中性CVD和反射。31． 氣體直流輝光放電分為四個(gè)區(qū)，分別是：無(wú)光放電區(qū)、湯生放電區(qū)、輝光放電區(qū)和電弧放電區(qū)。32． 濺射現(xiàn)象是在（ ）中觀察到的，集成電路工藝中利用它主要用來(lái)（ ），還可以用來(lái)（ ）。34． 在半導(dǎo)體制造業(yè)中，最早的互連金屬是（ 鋁 ），在硅片制造業(yè)中最普通的互連金屬是（ 鋁 ），即將取代它的金屬材料是（ 銅 ）。36． 阻擋層金屬是一類具有（ 高熔點(diǎn) ）的難熔金屬，金屬鋁和銅的阻擋層金屬分別是（W ）和（ W ）。38． 被用于傳統(tǒng)和雙大馬士革金屬化的不同金屬淀積系統(tǒng)是：（ ）、（ ）、（ ）和銅電鍍。在濺射過(guò)程中，（ ）撞擊具有高純度的靶材料固體平板，按物理過(guò)程撞擊出原子。平坦化40． 縮略語(yǔ)PSG、BPSG、FSG的中文名稱分別是（ ）、（ ）和（ ）。42． 終點(diǎn)檢測(cè)是指（ CMP設(shè)備 ）的一種檢測(cè)到平坦化工藝把材料磨到一個(gè)正確厚度的能力。43． 硅片平坦化的四種類型分別是（ 平滑 ）、部分平坦化、（ 局部平坦化 ）和（ 全局平坦化 ）。45． 傳統(tǒng)的平坦化技術(shù)有（ ）、（ ）和（ ）。47． 磨料是精細(xì)研磨顆粒和化學(xué)品的混合物，在（