第6章cmos集成電路制造工藝-wenkub
2023-02-07 08:27:54 本頁(yè)面
【正文】 ? ③ 蓋上 掩膜版進(jìn)行光照 ， 使掩膜版上亮的 (Clear)區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠被曝光，而掩膜版上暗的 (Dark)區(qū)域?qū)?yīng)的光刻膠不能被曝光 。第 6章 CMOS集成電路制造工藝第 6章 CMOS集成電路制造工藝? CMOS工藝? CMOS版圖設(shè)計(jì)? 封裝技術(shù)3木版年畫(huà)? 畫(huà)稿? 刻版? 套色印刷4半導(dǎo)體芯片制作過(guò)程5硅片（ wafer）的制作6掩模版（ mask,reticle）的制作7外延襯底的制作8集成電路加工的基本操作?形成薄膜 （二氧化硅、多晶硅、金屬等薄層）?形成圖形 （器件和互連線）?摻 雜 （調(diào)整器件特性）9形成圖形? 半導(dǎo)體加工過(guò)程：將設(shè)計(jì)者提供的集成電路 版圖圖形復(fù)制到硅片上? 光刻與刻蝕：半導(dǎo)體加工水平?jīng)Q定于光刻和刻蝕所形成的線條寬度10光刻（ photolithography）11曝光（ exposure）12刻蝕（ etch）13光刻的基本原理14正膠和負(fù)膠的差別15薄膜形成：淀積16薄膜形成：氧化17摻雜：擴(kuò)散和注入18從器件到電路：通孔19從器件到電路：互連線20從器件到電路：多層互連21從器件到電路：多層互連22從硅片到芯片：加工后端23從硅片到芯片：加工后端24從硅片到芯片：加工后端 CMOS工藝? 基本工藝步驟? n阱 CMOS工藝流程? 硅基 CMOS中的閂鎖效應(yīng)? 先進(jìn)的 CMOS工藝 基本工藝步驟? (1) 氧化? CMOS集成電路中 SiO2層的主要作用：? 做 MOS晶體管的柵絕緣介質(zhì)；? 做雜質(zhì)擴(kuò)散和離子注入的掩蔽層和阻擋層；? 做 MOS晶體管之間的隔離介質(zhì)；? 做多晶硅、金屬等互連層之間的絕緣介質(zhì)；? 做芯片表面的鈍化層。 基本工藝步驟? (3) 光刻和刻蝕? ④ 把未被曝光的膠去掉，顯影后掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠上；? ⑤ 采用 濕法刻蝕 或 干法刻蝕去除沒(méi)有光刻膠保護(hù)的 SiO2；? ⑥ 去除殘留在硅片上的所有光刻膠，完成版圖圖形到硅片圖形的轉(zhuǎn)移 。? 替位式擴(kuò)散 、 間隙式擴(kuò)散? 離子注入 ： 將具有很高能量的帶電雜質(zhì)離子射入硅襯底中。 n阱 CMOS工藝流程? ① 準(zhǔn)備硅片材料? p型 100晶向硅片? ② 形成 n阱? 熱氧化，形成掩蔽層? 光刻和刻蝕，開(kāi)出 n阱區(qū)窗口? 離子注入并高溫退火，形成 n阱 n阱 CMOS工藝流程? ③ 場(chǎng)區(qū)隔離? 局部氧化 (Local Oxidation of Silicon， LOCOS)工藝? 利用有源區(qū)掩膜版進(jìn)行光刻和刻蝕，露出場(chǎng)區(qū)? 場(chǎng)區(qū)注入? 去除光刻膠，場(chǎng)區(qū)熱生長(zhǎng)一層厚的氧化層? 去除有源區(qū)上 的 保護(hù)層? 場(chǎng)區(qū)和有源區(qū)的氧化層臺(tái)階降低，平整度提高。? 硅柵工藝：252。62SDE結(jié)深減小趨勢(shì)63硅化物自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu) 在 柵 極兩 側(cè) 形成一定厚度的氧化硅或氮化硅 側(cè)墻 ，然后淀 積難 熔金屬并和硅反 應(yīng) 形成硅化物作用： 減小多晶硅 線 和源、漏區(qū)的寄生 電 阻；減小金屬 連線 與源、漏區(qū)引 線 孔的接觸 電 阻硅化物同時(shí)淀積在柵電極上和暴露的源、漏區(qū)上，因此是自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)64銅互連 銅 比 鋁 的 電 阻率低 40％左右。圖 形 層 次 設(shè)計(jì)規(guī)則 內(nèi)容 幾何尺寸要求n阱 NW1
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