集成電路器件工藝-wenkub
2023-01-25 18:35:14 本頁面
【正文】 極管圖 256787nGaAs基 同質(zhì)結(jié) 雙極性晶體管并不具有令人滿意的性能 HBT工藝8AlGaAs /GaAs基 異質(zhì)結(jié) 雙極性晶體管(a) (b)圖 GaAs HBT的剖面圖 (a)和能帶結(jié)構(gòu) (b)○ ○○9nGaAs 基 HBTnInP 基 HBTnSi/SiGe的 HBT10 MESFET和 HEMT工藝 nGaAs工藝： MESFET圖 GaAs MESFET的基本器件結(jié)構(gòu)n引言歐姆 歐姆肖特基金鍺合金11MESFETn增強型和耗盡型n減小柵長n提高導(dǎo)電能力12nGaAs工藝： HEMT圖 簡單 HEMT的層結(jié)構(gòu)n 柵長的減小大量的可高速遷移的電子13nGaAs工藝： HEMT工藝的三明治結(jié)構(gòu)圖 DPDQWHEMT的層結(jié)構(gòu)14Main Parameters of the ?m Gate Length HEMTsHEMTTypeParametersEHEMT DHEMTVth V VIdsmax 200 mA/mm(Vgs = V)180 mA/mm(Vgs = 0 V)Gm 500 mS/mm 400 mS/mmRs W 17 MOS工藝和相關(guān)的 VLSI工藝18圖 MOS工藝的分類 19認(rèn)識 MOSFET線寬 (Linewidth), 特征尺寸 (Feature Size)指什么？20MOS工藝的特征尺寸(Feature Size)n特征尺寸 : 最小線寬?最小柵長圖 21 PMOS工藝早期的鋁柵工藝n1970年前，標(biāo)準(zhǔn)的 MOS工藝是鋁柵 P溝道。l電源電壓為 12V。 制造源、漏極與制造柵極采用兩次掩膜步驟不容易對齊。24Al柵 MOS工藝的柵極位錯問題圖 25鋁柵重疊設(shè)計n柵極做得長，同 S、 D重疊一部分圖 26鋁柵重疊設(shè)計的缺點l CGS、 CGD都增大了。這種方法被稱為 自對準(zhǔn)技術(shù) 。 多晶硅 Polysilicon， 原是絕緣體 ，經(jīng)過重擴(kuò)散，增加了載流子， 可以變?yōu)閷?dǎo)體 ，用作電極和電極引線。那時的多晶硅還是絕緣體，或非良導(dǎo)體。n增加了電路的可靠性。32了解 NMOS工藝的意義目前 CMOS工藝已在 VLSI設(shè)計中占有壓倒一切的優(yōu)勢 . 但了解 NMOS工藝仍具有幾方面的意義 :n CMOS工藝是在 PMOS和 NMOS工藝的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的 .n 從 NMOS工藝開始討論對于學(xué)習(xí) CMOS工藝起到循序漸進(jìn)的作用 .n NMOS電路技術(shù)和設(shè)計方法可以相當(dāng)方便地移植到CMOS VLSI的設(shè)計 .n GaAs邏輯電路的形式和眾多電路的設(shè)計方法與NMOS工藝基本相同 .33增強型和耗盡性 MOSFET (Enhancement mode and depletion mode MOSFET)FET（ Field Effect Transisitor）n 按襯底材料區(qū)分有 Si, GaAs, InPn 按場形
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