集成電路器件工藝-wenkub.com
2025-01-04 18:35 本頁面
【正文】 2023/1/28 13:12:4413:12:4428 January 2023n 1一個人即使已登上頂峰，也仍要自強(qiáng)不息。勝人者有力，自勝者強(qiáng)。 一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023n 閱讀一切好書如同和過去最杰出的人談話。 。 一月 2113:12:4413:12Jan2128Jan21n 1世間成事，不求其絕對圓滿，留一份不足，可得無限完美。 2023/1/28 13:12:4413:12:4428 January 2023n 1做前，能夠環(huán)視四周；做時，你只能或者最好沿著以腳為起點的射線向前。 一月 21一月 2113:12:4413:12:44January 28, 2023n 1他鄉(xiāng)生白發(fā)，舊國見青山。 一月 21一月 21Thursday, January 28, 2023n 雨中黃葉樹，燈下白頭人。影響 BiCMOS器件性能的主要部分是雙極部分，因此以雙極工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝用的較多。ENMOS工作原理圖39ENMOS工作原理圖VgsVt， Vds=0VVgsVt， VdsVgsVtVgsVt， VdsVgsVt圖 不同電壓情況下 ENMOS的溝道變化P. 5640NMOS工藝流程圖 NMOS工藝的基本流程 41表 NMOS的掩膜和典型工藝流程42圖 NMOS反相器電路圖和芯片剖面示意圖SD DS43 CMOS工藝n進(jìn)入 80年代以來， CMOS IC以其近乎零的靜態(tài)功耗而顯示出優(yōu)于 NMOS， 而更適于制造 VLSI電路，加上工藝技術(shù)的發(fā)展，致使 CMOS技術(shù)成為當(dāng)前 VLSI電路中應(yīng)用最廣泛的技術(shù) 。所以 , 直到 1972年突破了那些難關(guān)以后 , MOS工藝才進(jìn)入了 NMOS時代。l無需重疊設(shè)計，減小了柵極尺寸，漏、源極尺寸也可以減小，即減小了晶體管尺寸，提高了速度，增加了集成度。先利用光阻膠保護(hù)，刻出柵極，再以多晶硅為掩膜，刻出 S， D區(qū)域。167。讓 D， S和G三個區(qū)域一次成形。在 MOS工藝中，不對齊的問題，不是圖案難看的問題，也不僅僅是所構(gòu)造的晶體管尺寸有誤差、參數(shù)有誤差的問題，而是可能引起溝道中斷，無法形成溝道，無法做好晶體管的問題。23Al柵 MOS工藝缺點167。l氧化層厚 1500197。 n閾值電壓較敏感于有源層的垂直尺寸形狀和摻雜程度；n驅(qū)動電流小 n閾值電壓變化大：由于跨導(dǎo)大，在整個晶圓上， BJT的閾值電壓變化只有幾毫伏，而MESFET， HEMT由于跨導(dǎo)小，要高十倍多。1第四章 集成電路器件工藝 雙極型集成電路的基本制造工藝 MESFET和 HEMT工藝 MOS工藝和相關(guān)的 VLSI工藝 BiCMOS工藝2第四章 集成電路器件工藝表 3圖 幾種 IC工藝速度功耗區(qū)位圖4 雙極型集成電路的基本制造工藝 MESFET和 HEMT工藝 MOS工藝和相關(guān)的 VLSI工藝 BiCMOS工藝5 雙極性硅工藝 n早期 的雙極性硅工藝： NPN三極管圖 1 236n先進(jìn) 的雙極性硅工藝： NPN三
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