第四章集成電路制造工藝-wenkub
2023-02-27 21:42:32 本頁面
【正文】 (B) —— P 型硅240。選擇性好、對襯底損傷較小，但各向異性較差240。干法刻蝕： 主要指利用低壓放電產(chǎn)生的等離子體中的離子或游離基 (處于激發(fā)態(tài)的分子、原子及各種原子基團等 )與材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)或通過轟擊等物理作用而達到刻蝕的目的圖形轉(zhuǎn)換：刻蝕技術(shù)240。幾種常見的光刻方法?接觸式光刻： 分辨率較高，但是容易造成掩膜版和光刻膠膜的損傷。制膜： 制作各種材料的薄膜圖形轉(zhuǎn)換：光刻240。集成電路設(shè)計與制造的主要流程框架設(shè)計芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程 封裝 測試 系統(tǒng)需求 集成電路的設(shè)計過程： 設(shè)計創(chuàng)意 + 仿真驗證集成電路芯片設(shè)計過程框架 From 吉利久教授是功能要求行為設(shè)計（ VHDL）行為仿真綜合、優(yōu)化 —— 網(wǎng)表時序仿真布局布線 —— 版圖后仿真否是否否是Sing off— 設(shè)計業(yè) —— 制造業(yè) —芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝 光刻 蝕硅片測試和封裝用掩膜版重復(fù)2030次集成電路芯片的顯微照片集成電路的內(nèi)部單元集成電路的內(nèi)部單元 (俯視圖俯視圖 )溝道長度為溝道長度為 柵長為柵長為 90納米的柵圖形照片納米的柵圖形照片 50?m100? m頭發(fā)絲粗細 30?m1?m ? 1?m(晶體管的大小 )30~50?m(皮膚細胞的大小 )90年代生產(chǎn)的集成電路中晶體管大小與人類頭發(fā)絲粗細、皮膚細胞大小的比較N溝道 MOS晶體管CMOS集成電路 (互補型 MOS集成電路 )：目前應(yīng)用最為廣泛的一種集成電路，約占集成電路總數(shù)的 95% 以上。集成電路制造工藝240。光刻三要素： 光刻膠、掩膜版和光刻機?光刻膠又叫光致抗蝕劑，它是由光敏化合物、基體樹脂和有機溶劑等混合而成的膠狀液體?光刻膠受到特定波長光線的作用后，導(dǎo)致其化學(xué)結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，使光刻膠在某種特定溶液中的溶解特性改變240。?接近式曝光： 在硅片和掩膜版之間有一個很小的間隙 (10～ 25?m)，可以大大減小掩膜版的損傷，分辨率較低?投影式曝光： 利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的曝光方法，目前用的最多的曝光方式三種光刻方式圖形轉(zhuǎn)換：光刻240。濕法腐蝕：?濕法化學(xué)刻蝕在半導(dǎo)體工藝中有著廣泛應(yīng)用：磨片、拋光、清洗、腐蝕?優(yōu)點是選擇性好、重復(fù)性好、生產(chǎn)效率高、設(shè)備簡單、成本低?缺點是鉆蝕嚴重、對圖形的控制性較差干法刻蝕240。反應(yīng)離子刻蝕 (Reactive Ion Etching，簡稱為RIE)： 通過活性離子對襯底的物理轟擊和化學(xué)反應(yīng)雙重作用刻蝕。摻雜工藝： 擴散、離子注入擴 散240。?可以對化合物半導(dǎo)體進行摻雜離子注入系統(tǒng)的原理示意圖離子注入到無定
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