集成電路原理制造工藝及原理技術(shù)--期末論文-文庫吧資料
2025-01-12 12:24本頁面
【正文】 籽晶與熔體接觸。 C) SiO2 + C ? Si + CO2 砂 碳 冶金級矽 二氧化碳 19 制備 TCS（ 三 氯硅烷 ） Si + HCl ? TCS 矽粉末 氯化氫 過濾器 冷凝器 純化器 %純度的三氯矽烷 反應(yīng)器 , 300 ?C 20 加熱 (1100 176。 主要用于半導(dǎo)體芯片制造。 主要用于 太陽能電池芯片 的生產(chǎn)制造 ? 電子級硅（ EG）：一般要求含 Si %以上，超高純達(dá)到 %～ %（ 9～ 11個 9）。 ? 太陽能級硅 (SG)：純度介于冶金級硅與電子級硅之間，至今未有明確界定。 ? 冶金級硅（ MG） ：是硅的氧化物在電弧爐中被碳還原而成。 ?100的晶圓較常用來作 金屬氧化物半導(dǎo)體 集成電路 ?111方向 的晶圓則通常用來制造雙極型晶體管和集成電路 ，因為111方向的原子表面密度高，故該面較為堅固且比較適合高功率的元件。 （ 1）一種物質(zhì)是否是晶體是由其內(nèi)部結(jié)構(gòu)決定的，而非由外觀判斷； （ 2）周期性是晶體結(jié)構(gòu)最基本的特征 多晶體： 小區(qū)域內(nèi)原子周期性排列，整體不規(guī)則 非晶體： 原子排列無序 11 晶體的特點 1）均勻性 ,原子周期性排列 . 2） 各向異性 ,也叫非均質(zhì)性 .(各個方向上物理和化學(xué)性質(zhì)不同 ) 3）有明顯確定的熔點 4）有特定的對稱性 5）使 X射線產(chǎn)生衍射 12 硅的晶體結(jié)構(gòu)：金剛石結(jié)構(gòu) 金剛石結(jié)構(gòu) 每個原子周圍有四個最鄰近的原子，這四個原子處于正四面體的頂角上，任一頂角上的原子和中心原子各貢獻(xiàn)一個價電子為該兩個原子所共有，并形成穩(wěn)定的共價鍵結(jié)構(gòu)。這種現(xiàn)象后來被稱為“光生伏打效應(yīng)”，簡稱“光伏效應(yīng)” 。 光敏電阻 就是基于這種效應(yīng)的光電器件。 其原因是摻雜半導(dǎo)體的某種載流子濃度大大增加。 共價鍵有很強(qiáng)的結(jié)合力，使原子規(guī)則排列，形成晶體。 2 硅的共價鍵結(jié)構(gòu) 共價鍵共 用電子對 +4 +4 +4 +4 +4表示除去價電子后的原子 3 共價鍵中的兩個電子被緊緊束縛在共價鍵中，稱為束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價鍵成為自由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。? ? ? ? ? 5. 集成電路的發(fā)展對硅片的要求 1 半導(dǎo)體材料 ? 目前用于制造半導(dǎo)體器件的材料有： 元素半導(dǎo)體（ Si
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