集成電路工藝原理ppt課件-文庫吧資料
2025-01-21 16:29本頁面
【正文】 第三講 光刻原理 1 32 橫坐標(biāo)：歸一化的空間頻率，線條數(shù) /mm/截止頻率 空間頻率 ?＝ 1/(2W), W是等寬光柵的線條寬度， 2W即 Pitch 按照瑞利判據(jù)歸一化，即 ?0＝ 1/R＝ NA/? （截止頻率） 2W 特征尺寸大 特征尺寸小 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 33 例題：假定某種光刻膠可以 MTF＝ ，如果曝光系統(tǒng)的 NA＝ ， ?＝ 436 nm（ gline）， S＝ 。)， 電子束 ()， 離子束 ( 197。 S1 S2 S1 S2 S1 S2 可分辨 不可分辨 恰可分辨 100% % 分辨率 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 21 兩個愛里斑之間的分辨率（瑞利判據(jù)）： ?????s i n)s i n2(nfnfdfR ??＝?s innNA ?數(shù)值孔徑：收集衍射光的能力。 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 1 集成電路 工藝 原理 仇志軍 (username amp。 password: vlsi) 邯鄲路校區(qū)物理樓 435室 助教：沈臻魁 楊榮 邯鄲路校區(qū)計算中心 B204 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 2 凈化的三個層次：環(huán)境、硅片清洗、吸雜 上節(jié)課主要內(nèi)容 凈化級別 高效凈化 凈化的必要性 器件：少子壽命 ?， VT改變， Ion? Ioff?，柵擊穿電壓 ?，可靠性 ? 電路：產(chǎn)率 ?，電路性能 ? The bottom line is chip yield. “Bad” die manufactured alongside “good” die. Increasing yield leads to better profitability in manufacturing chips. 雜質(zhì)種類：顆粒、有機物、金屬、天然氧化層 強氧化 天然氧化層HF:DI H2O 本征吸雜和非本征吸雜 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 3 第一講 前言 第二講 實驗室凈化及硅片清洗 第三講 光刻原理 1 第四講 光刻原理 2 第五講 熱氧化原理 1 第六講 熱氧化原理 2 第七講 擴散原理 1 第八講 擴散原理 2 第九講 離子注入原理 1 第十講 離子注入原 理 2 第十一講 薄膜淀積原 理 1 第十二講 薄膜淀積原 理 2 第十三講 薄膜淀積原 理 3 第十四講 刻蝕原理 第十五講 接觸和互連 第十六講 工藝集成 第十七講 前瞻性工藝研究 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 4 光刻的作用和目的 圖形的產(chǎn)生和布局 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 5 35％的成本來自于光刻工藝
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