集成電路工藝原理ppt課件-wenkub.com
2025-01-12 16:29 本頁(yè)面
【正文】 c)溶劑：芳香族化合物 (aromatic) 負(fù)膠顯影液 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 39 DUV深紫外光刻膠 傳統(tǒng) DNQ膠的問題： 對(duì)于 i線波長(zhǎng)的光強(qiáng)烈吸收 汞燈在 DUV波段輸出光強(qiáng)不如 i線和 g線，因此靈敏度不夠 量子效率提高有限（最大為 1，一般 ) 化學(xué)增強(qiáng)光刻膠 PAG (photoacid generator) 原理： 入射光子與 PAG分子反應(yīng)，產(chǎn)生酸分子，在后續(xù)的烘烤過程中，酸分子起催化劑作用，使曝光區(qū)域光刻膠改性 總量子效率 1，因此 DUV膠的靈敏度有很大提高 。 b)光敏材料（ PAC－ photoactive pounds) 二氮醌 (diazoquinone, DQ) ?DQ不溶于顯影液，光刻膠在顯影液中的溶解速率為 1－ 2 nm/sec ?光照后， DQ可以自我穩(wěn)定（ Wolff重排列），成為溶于顯影液的烴基酸（ TMAH四甲基氫氧化銨 ——典型顯影液） 光照后，光刻膠在顯影液中的溶解速度為 100－ 200nm/s c)溶劑 是醋酸丁脂、二甲苯、乙酸溶纖劑的混合物，用于調(diào)節(jié)光刻膠的粘度。則光刻分辨的最小尺寸為多少？如果采用 i線光源呢？ 解：從圖中可以知道： S＝ ， MTF＝ ，對(duì)應(yīng)于 ?=?0。 n為折射率 分辨率 NAkR ?1?k1= 提高分辨率： NA?， ??， k1? f 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 22 光源 NGL: X射線 (5197。 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 1 集成電路 工藝 原理 仇志軍 (username amp。)， 電子束 ()， 離子束 ( 197。 ?＝ 436 nm時(shí)， ?0＝ NA/?＝ ( )＝ 即分辨率為每 mm的 （ ?=?0 ） ?最小線條的分辨尺寸為 mm或 pitch＝ mm 若 ?＝ 365 nm（ iline），則分辨尺寸可減小為 mm。 前烘后膜上樹脂 : PAC＝ 1:1 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 37 負(fù)膠 (Negative Optical Photoresist) 當(dāng) VLSI電路需分辨率達(dá) 2 mm之前，基本上是采用負(fù)性光刻膠。 g線、 i線光刻膠靈敏度為 100 mJ/cm2， DUV膠為 20－ 40 mJ/cm2 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 40 DUV膠化學(xué)增強(qiáng)的基本原理 要求對(duì)于環(huán)境和工藝參數(shù)控制嚴(yán)格， PEB 溫度控制在幾分之一度。 但在分辨率要求不太高的情況，負(fù)膠也有其優(yōu)點(diǎn)： a)對(duì)襯底表面粘附性好 b)抗刻蝕能力強(qiáng) c)曝光時(shí)間短，產(chǎn)量高 d)工藝寬容度較高 （顯影液稀釋度、溫度等） e)價(jià)格較低 （約正膠的三分之一） 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 38 負(fù)膠的組成部分： a) 基底：合成環(huán)化橡膠樹脂 (cyclized synthetic rubber risin) 對(duì)光
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