集成電路工藝原理ppt課件(編輯修改稿)
2025-02-11 16:29 本頁(yè)面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 fdfR ??＝?s innNA ?數(shù)值孔徑：收集衍射光的能力。 n為折射率 分辨率 NAkR ?1?k1= 提高分辨率： NA?， ??， k1? f 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 22 光源 NGL: X射線 (5197。)， 電子束 ()， 離子束 ( 197。) 光源 波長(zhǎng) ?(nm) 術(shù)語(yǔ) 技術(shù)節(jié)點(diǎn) 汞燈 436 g線 汞燈 365 i線 KrF(激光 ) 248 DUV ArF (激光 ) 193 193DUV 90/65…32nm F2 (激光 ) 157 VUV CaF2 lenses 激光激發(fā) Xe等離子體 EUV Reflective mirrors NAkR?1? Using light source with shorter ? 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 23 248 nm 157 nm nm 193 nm 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 24 Reducing resolution factor k1 Phase Shift Mask Pattern dependent ? k1 can be reduced by up to 40 % NAkR ?1?Normal Mask *EEI ?? 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 25 Reducing resolution factor k1 Mask design and resist process ? [nm] k1 436 365 248 193 NAkR ?1?Resist chemistry 436,365 nm: PhotoActiveComponent (PAC) 248,193 nm: PhotoAcidGenerator (PAG) Contrast 436,365 nm: ?=23, (Qf/Q0?) 248,193 nm: ?=510 (Qf/Q0?) 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 26 Increasing NA Lens fabrication ? [nm] NA 436 365 248 193 NAkR ?1?State of the Art: ?=193 nm, k1=, NA= ? R?60 nm = ? R?40 nm Numerical Aperture: NA=nsin? Immersion Lithography ??? NAn OH? n H2O 集成電路工藝原理 第三講 光刻原理 1 27 ?為 軸上光線到極限聚焦位置的光程差。根據(jù)瑞利判據(jù)： ???? c o s4/ ??? 很小時(shí)， 2/)]2/1(1[4/ 22 ????? ????NAfd ??? 2s i n ??焦深 NA?，焦深 ? ? 焦深 22 )( NAkDOF?
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