集成電路工藝和版圖設(shè)計(jì)參考(編輯修改稿)
2025-02-03 01:54 本頁面
【文章內(nèi)容簡(jiǎn)介】 ian Fang 34 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 光刻膠 光刻膠 Si3N4 2022/2/4 Jian Fang 35 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell Si3N4 2022/2/4 Jian Fang 36 N－ type Si SiO2 Pwell 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell 2022/2/4 Jian Fang 37 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly 2022/2/4 Jian Fang 38 active pwell poly Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal 2022/2/4 Jian Fang 39 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK poly 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly 光刻膠 2022/2/4 Jian Fang 40 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK poly 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell 光刻膠 poly 2022/2/4 Jian Fang 41 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly 2022/2/4 Jian Fang 42 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly 2022/2/4 Jian Fang 43 active pwell poly N+ implant Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal 2022/2/4 Jian Fang 44 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK N+ 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly 光刻膠 2022/2/4 Jian Fang 45 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell 光刻膠 poly N+ implant S/D 2022/2/4 Jian Fang 46 active pwell poly P+ implant Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal 2022/2/4 Jian Fang 47 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK N+ 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly 光刻膠 光 S/D 2022/2/4 Jian Fang 48 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell S/D poly 光刻膠 P+ implant P+ 接觸 2022/2/4 Jian Fang 49 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly S/D P+ 接觸 2022/2/4 Jian Fang 50 active pwell poly P+ implant N+ implant omicontact Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal 2022/2/4 Jian Fang 51 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK Omicontact 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly S/D P+ 接觸 2022/2/4 Jian Fang 52 active pwell poly N+ implant omicontact metal Pwell Active Poly N+ implant P+ implant Omicontact Metal 2022/2/4 Jian Fang 53 N－ type Si SiO2 Pwell SiO2 MASK metal 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 場(chǎng)氧 Pwell poly S/D P+ 接觸 metal metal metal 2022/2/4 Jian Fang 54 pwell active poly N+ implant P+ implant omicontact metal 2022/2/4 Jian Fang 55 雙極型 IC及工藝 N P N 基極 集電極 發(fā)射極 P N P 基極 集電極 發(fā)射極 C B E IB IC IE C B E IB IC IE NPN晶體管 PNP晶體管 2022/2/4 Jian Fang 56 VCE iC iB VCE(sat) iR 雙極型晶體管輸出特性 放大區(qū) 飽和區(qū) ? 電流放大能力； ? 電流驅(qū)動(dòng)； 2022/2/4 Jian Fang 57 基極 發(fā)射極 N+ N P N+ 集電極 基極 發(fā)射極 P+ N N P E B B C C N＋ C C B B E P P＋ P＋ P N＋ N 2022/2/4 Jian Fang 58 ? BiCMOS: 雙極 (Bipolar)與 CMOS相容技術(shù) 。 ? BiCMOS可以將雙極器件與 CMOS器件制作在同一芯片上 ， 使之具有雙極電路的高速度 、 高驅(qū)動(dòng)能力 、 高模擬精度 ， 又具有 CMOS電路的低功耗 、 高集成度等特性 。 ? BiCMOS工藝較之 CMOS工藝和雙極工藝都復(fù)雜 ， 制作周期長(zhǎng) ， 產(chǎn)品成品率比 CMOS低 ， 成本比 CMOS高 。 ? 高性能雙極工藝與 CMOS的 VLSI工藝 80％ 的工藝是相同的 ， 在 CMOS生產(chǎn)線上 ， 只要改動(dòng)或增添一部分工序 ， 增添一部分設(shè)備 ， 就可以制作 BiCMOS芯片 。 BiCMOS 2022/2/4 Jian Fang 59 版圖設(shè)計(jì)（
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