mos集成電路的基本制造工藝(編輯修改稿)
2025-08-21 19:09 本頁面
【文章內容簡介】 片剖面示意圖 ? N阱 CMOS芯片剖面示意圖見下圖。 GSDGDSN+N+P+P+P+N M O SP M O SP S U BN 阱N+半導體集成電路 雙阱 CMOS工藝 ? 隨著工藝的不斷進步，集成電路的線條尺寸 不斷縮小，傳統(tǒng)的單阱工藝有時已不滿足要求，雙阱工藝應運而生。 半導體集成電路 雙阱 CMOS工藝 ? 通常雙阱 CMOS工藝采用的原始材料是在 N+或 P+襯底上外延一層輕摻雜的外延層，然后用離子注入的方法同時制作 N阱和 P阱。 半導體集成電路 雙阱 CMOS工藝 ? 使用雙阱工藝不但可以 提高器件密度 ，還可以有效的控制寄生晶體管的影響，抑制閂鎖現(xiàn)象。 半導體集成電路 雙阱 CMOS工藝主要步驟 ? 雙阱 CMOS工藝主要步驟 如下： ? （ 1）襯底準備：襯底氧化，生長 Si3
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