[工學]第九章mos集成電路(編輯修改稿)
2025-02-15 07:28 本頁面
【文章內容簡介】 VIH： 小 高 開 低電平噪容： VNML＝ VIL－ VOL 高電平噪容： VNMH＝ VOH－ VIH 邏輯擺幅： VL＝ VOH－ VOL 過渡區(qū)寬度： VW＝ VIH－ VIL 計算方法： VIL用 Ⅱ 區(qū)方程 VIH用 Ⅰ 區(qū)方程 要提高噪聲容限，要求 βI/βL1，且選用盡可能高的 VDD. 17 例題： 18 19 三、非飽和和自舉 MOS倒相器 非飽和 E/EMOS倒相器： 飽和 E／ E倒相器有兩個缺點： VOH＝ VDD－ VT 充電時間曲線拖一尾巴，速度慢 TL非飽和： VDSLVGSL－ VTL VDD－ VOVGG－ VO－ VTL ∴ VGGVDD＋ VTL ● VGG VDD TL TI Vi Vo 優(yōu)點： VOH＝ VDD，無損失 輸出高電平時 TL的導通電阻小，充電電流大，速度 ↑，雖多用一個電源，但性能大有改善 20 自舉 MOS倒相器： 克服非飽和用兩個電源的缺點 自舉原理： 比普通反相器增加了預充電管 TB和自舉電容 Cb VDD TL TI Vi Vo ● ● TB D S G Cb CL ● 假定反相器的輸入為高電平 VDD, 輸出為低電平 VOL，此時 TB導通，對 CB充電，使自舉電容兩端的電壓為 VGSL=VDDVTBVOL，所以負載管 TL的柵極被預置了電平 VGLO=VDDVTB. 此電壓表明，自舉電容 CB已充滿了電荷，于是， TB不再對 CB充電，若由于某種原因使 VGL下降，則 TB又對 CB充電。 在輸入電平由高變?yōu)榈蜁r，輸出電平上升，但是 CB兩端的電壓不可能突變，所以 VGL將隨 VOL的升高而升高，這就是自舉效應。隨著VGL上升， TB截止， CB上的電荷量 CB*VGSL保持不變，這表明在自舉過程中， TL處于固定的柵源偏置狀態(tài)。 在自舉過程開始時， VGL比 VDL低一個 VTE， TL處于飽和導通狀態(tài)。當VOL上升達到甚至超過 2VTB時，由于 VGSL保持不變，故 VGL上升達到VDD+VTEVDL，于是 TL轉入非飽和導通態(tài)。 21 VDD TL TI Vi Vo ● ● TB D S G Cb CL ● 這使輸出高電平達到 VDD，消除了飽和 E/E反相門的高電平閾值電壓損失。由于 TL對 CL的充電電流不會隨 Vo升高而下降，加快了輸出高電平的上升時間。 22 94 E/D MOS的倒相器 VDD TD Vi D S G ● TE D S G Vo 耗盡型： VGS＝ 0，一直導通
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