[工學(xué)]第九章 mos集成電路-全文預(yù)覽
【正文】 增強(qiáng)負(fù)載倒相器（ E/E） 耗盡負(fù)載倒相器（ E/D） 互補(bǔ)負(fù)載倒相器（ CMOS） 9 ② 按負(fù)載與輸入管之間的關(guān)系分類 有比反相器 無(wú)比反相器 ● ● VOH VDD VoL REL RON 輸入高電平時(shí)， TI導(dǎo)通，其導(dǎo)通電阻為 RON， REL為負(fù)載的等效電阻 那么： 為了保證 VOL足夠低， RON和 REL必須保持一定的比例，這就是 有比反相器 DDELONONOL VRR RV ??● ● ● ● ● Vo Vi VoL VOH 理想情況下 VOL≈0 不需要兩個(gè)管子保持一定比例，這就是 無(wú)比反相器 10 93 飽和負(fù)載 E／ EMOS倒相器 一、工作原理 ● Vo Vi ● VDD G S S G D TI TL D VGSL＝ VDSL → VDSLVGSLVT TL永遠(yuǎn)飽和 忽略襯底偏置效應(yīng)，認(rèn)為 TL的源與襯底同電位， (實(shí)際上 VB=0， VS=VO) 那么 VTI＝ VTL＝ VT 在 TL的輸出特性上連接 VGSL＝ VDSL各點(diǎn)，得 TL的伏安特性曲線 50 40 30 20 10 0 2 4 6 8 10 12 由于 TL的跨導(dǎo)小，所以線較密 負(fù)載線的方程為 IDSL＝ KL（ VDSL－ VTL） 2 拋物線 VGSL＝ 13V 12 11 10 9 8 7 6 VTL＝ VDSL（ V） ID（ uA） TL的輸出特性 KL=βL/2 11 500 400 300 200 100 40 0 2 4 6 8 10 12 Vi＝ 13V 9 8 7 6 5 4 ID（ uA） VO（ V） TI的跨導(dǎo)大，線稀 把負(fù)載線畫到 TI的輸出特性曲線中 IDSL＝ IDSI＝ ID VO＝ VDD－ VDSL 方程為 ID＝ KL（ VDD－ VT－ VO） 2 12 10 8 6 4 2 0 2 4 6 8 10 12 VO（ V） Vi（ V） TI的輸出特性 根據(jù)上圖的交點(diǎn)可得到電壓傳輸曲線 : 特點(diǎn)： 高電平最大值為 VDDVTL TL等效電阻 ↑ 低電平 ↓ 12 二、特性分析 21● Vi ● G G D TI D Vo VDD S S 13 ● Vi ● G G D TI D Vo VDD S 14 傳輸特性：討論的是輸出電壓與輸入電壓的關(guān)系 前面由圖解法已經(jīng)得出電壓傳輸曲線，要分析傳輸特性，實(shí)質(zhì)是寫出這個(gè)曲線的曲線方程。 在輸入電平由高變?yōu)榈蜁r(shí)，輸出電平上升，但是 CB兩端的電壓不可能突變，所以 VGL將隨 VOL的升高而升高，這就是自舉效應(yīng)。 21 VDD TL TI Vi Vo ● ● TB D S G Cb CL ● 這使輸出高電平達(dá)到 VD
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