cmos集成電路工藝基礎(chǔ)(編輯修改稿)
2025-06-16 01:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 散深度及濃度 。 eDtN DtT xxP 4212)(2)( ?)1(3 10 15 cmN T ??2．離子注入 eN ppRxxN ]2[m a x 22)()( ??? ?σ p σ pN m a x0 Rp 深度 X硼原子數(shù)0 X ?其中： 離子注入的分布有以下兩個(gè)特點(diǎn)： 1． 離子注入的分布曲線形狀 （ Rp， б p） ， 只與離子的初始能量 E0有關(guān) 。 并雜質(zhì)濃度最大的地方不是在硅的表面 ， X＝ 0處 ， 而是在 X＝ Rp處 。 Rp： 平均濃度 ?p： 穿透深度的標(biāo)準(zhǔn)差 Nmax=?p NT： 單位面積注入的離子數(shù) ， 即離子注入劑量 2．離子注入最大值 Nmax與注入劑量 NT有關(guān)。 而 E0與 NT都是可以控制的參數(shù)。 因此，離子注入方法可以精確地控制摻雜區(qū)域的濃度及深度。 ．淀積和刻蝕工藝 淀積工藝主要用于在硅片表面上淀積一層材料， 如金屬鋁、多晶硅及磷硅玻璃 PSG(隔離互連層 )等。 、金屬化工藝 淀積鋁也稱為金屬化工藝，它是在真空設(shè)備中進(jìn)行的。在 硅片的表面形成一層鋁膜。 AL離子束w a f e r、 淀積多晶硅 ? 淀積多晶硅一般采用化學(xué)汽相淀積 （ LPCVD） 的方法 。 利用化學(xué)反應(yīng)在硅片上生長多晶硅薄膜 。 ? 適當(dāng)控制壓力 、 溫度并引入反應(yīng)的蒸汽 ， 經(jīng)過足夠長的時(shí)間 ， 便可在硅表面淀積一層高純度的多晶硅 。 ? 淀積 PGS與淀積多晶硅相似 ， 只是用不同的化學(xué)反應(yīng)過程 ， 這里不一一介紹了 。 采用 在 700176。 C的高溫下 ， 使其分解： SiH4????? ?? 2~4 27 0 0 0 HSiS iH C、刻蝕 材料淀積上去后 ,為了形成線條、接觸孔、柵等圖形，需要通過刻蝕把不需要的地方腐蝕掉。 刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 、 鈍化工藝 ?在集成電路制作好以后 ， 為了防制外部雜質(zhì) ，如潮氣 、 腐蝕性氣體 、 灰塵侵入硅片 ， 通常在硅片表面加上一層保護(hù)膜 ， 稱為鈍化 。 ? 目前 ， 廣泛采用的是氮化硅做保護(hù)膜 ， 其加工過程是在 450176。 C以下的低溫中 ， 利用高頻放電 ， 使 和 氣體分解 ， 從而形成氮化硅而落在硅片上 。 ????? ??? 24334 124 5 043 0 HNSiNHS iH C4SiN 3NH、光刻與腐蝕工藝 ?光刻工藝是完成在整個(gè)硅片上進(jìn)行開窗的工作。 ?掩膜版和光刻膠： 掩膜版：亮版和暗版 ?由 掩膜工廠制造 光刻膠：正膠和負(fù)膠 w a f e r m a s k光源?光刻過程如下： 1． 涂光刻膠 2． 掩膜對(duì)準(zhǔn) 3． 曝光 4． 顯影 5． 刻蝕：采用
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