cmos集成電路工藝基礎(chǔ)-在線瀏覽
2025-07-14 01:31本頁面
【正文】 時(shí)也要求半導(dǎo)體電路中必須要有溫度補(bǔ)償措施 。 D） 半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力隨外加電場(chǎng) 、 磁場(chǎng)的作用 而發(fā)生變化 4． 半導(dǎo)體材料介紹 A） Si 化學(xué)周期表四族元素。 2）離子注入和熱擴(kuò)散時(shí)的隔離層 3）生成器件表面的鈍化層，保護(hù)器件不受外 界的影響。 金屬布線層次越來越多，最多可達(dá) 7~8層 第二節(jié) 半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí) 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu) 在硅或者鍺晶體中 ,原子按一定規(guī)律排列。 這四個(gè)電子形成四個(gè)共價(jià)鍵 本征半導(dǎo)體 完全純凈、結(jié)構(gòu)完整的半導(dǎo)體稱為本征半導(dǎo)體。 ? 當(dāng)硅中摻入 Ⅴ 族元素 P時(shí) ， 硅中多數(shù)載流子為電子 ，這種半導(dǎo)體稱為 N型半導(dǎo)體 。 )/1(10 22 cmn ??)/1(10 22 cmp ??第三節(jié) 集成電路制造基本工藝 、 氧化工藝 *把裸露的硅片放高溫氧氣氛中 ,就會(huì)生成 SiO2 *氧化層可以分為柵氧和場(chǎng)氧 *柵氧 : 它的厚度一般在幾百 A左右 ,對(duì)器件的性能影響大 *場(chǎng)氧 : 它的厚度一般在幾千 A左右 ,絕緣和隔離的作用 . ?氧化爐 石英舟滑道爐膛?改進(jìn)的氧化爐 石英舟 滑道爐膛、 摻雜工藝 在襯底材料上摻入五價(jià)磷或三價(jià)硼 ， 以改變半導(dǎo)體材料的電性能 。 目前 ， 有兩種摻雜方式：擴(kuò)散和離子注入 。 擴(kuò)散分為兩步： ? STEP1 預(yù)淀積：將濃度很高的一種雜質(zhì)元素 P或 B淀積在硅片表面 。 實(shí)驗(yàn)分析表明： P的濃度分布可由下式表示： 其中 ， NT： 預(yù)淀積后硅片表面淺層的 P原子濃度 D： P的擴(kuò)散系數(shù) t ： 擴(kuò)散時(shí)間 x： 擴(kuò)散深度 只要控制 NT 、 T、 t 三個(gè)因素就可以決定擴(kuò)散深度及濃度 。 并雜質(zhì)濃度最大的地方不是在硅的表面 ， X＝ 0處 ， 而是在 X＝ Rp處 。 而 E0與 NT都是可以控制的參數(shù)。 ．淀積和刻蝕工藝 淀積工藝主要用于在硅片表面上淀積一層材料， 如金屬鋁、多晶硅及磷硅玻璃 PSG(隔離互連層 )等。在 硅片的表面形成一層鋁膜。 利用化學(xué)反應(yīng)在硅片上生長多晶硅薄膜 。 ? 淀積 PGS與淀積多晶硅相似 ， 只是用不同的化學(xué)反應(yīng)過程 ， 這里不一一介紹了 。 C的高溫下 ， 使其分解： SiH4????? ?? 2~4 27 0 0 0 HSiS iH C、刻蝕 材料淀積上去后 ,為了形成線條、接觸孔、柵等圖形，需要通過刻蝕把不需要的地方腐蝕掉。 、 鈍化工藝 ?在集成電路制作好以后 ， 為了防制外部雜質(zhì) ，如潮氣 、 腐蝕性氣體 、 灰塵侵入硅片 ， 通常在硅片表面加上一層保護(hù)膜 ， 稱為鈍化 。 C以下的低溫中 ， 利用高頻放電 ， 使
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