第一章集成電路的基本工藝(編輯修改稿)
2025-07-01 09:31 本頁面
【文章內(nèi)容簡介】 N+BL P+ P+ P+ P P 6. 第四次光刻 — N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔 ? 集電極和 N型電阻的接觸孔 ,以及外延層的反偏孔。 ? Al— N－ Si 歐姆接觸： ND≥1019cm3， 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 擴(kuò)散 SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P N+ 7. 第五次光刻 — 引線接觸孔光刻 SiO2 N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 8. 第六次光刻 — 金屬化內(nèi)連線光刻：反刻鋁 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 蒸鋁 SiO2 AL N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 集成電路中雙極型晶體管的工藝復(fù)合圖 橫向晶體管剖面圖 C B E N P PNP P+ P+ P P 縱向晶體管剖面圖 C B E N
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