第一章集成電路的基本工藝-文庫吧資料
2025-05-27 09:31本頁面
【正文】 i N+BL P+ P+ P+ P P N+ 7. 第五次光刻 — 引線接觸孔光刻 SiO2 N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 8. 第六次光刻 — 金屬化內(nèi)連線光刻：反刻鋁 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 蒸鋁 SiO2 AL N+ N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P Nepi 集成電路中雙極型晶體管的工藝復(fù)合圖 橫向晶體管剖面圖 C B E N P PNP P+ P+ P P 縱向晶體管剖面圖 C B E N P C B E N P N+ p+ NPN PNP MOS集成電路的基本制造工藝 N溝硅柵 E/D MOS集成電路工藝 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 1. 光刻 1阱區(qū)光刻，刻出阱區(qū)注入孔 NSi NSi SiO2 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 2. 阱區(qū)注入及推進(jìn)，形成阱區(qū) NSi
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1