第一章集成電路的基本工藝-資料下載頁
2025-05-17 09:31本頁面
【導(dǎo)讀】第一章集成電路的基本制造工藝。一類為元器件間自然隔離區(qū)。如PN結(jié)隔離，全介質(zhì)隔離及PN結(jié)－介質(zhì)混合隔離等。典型的PN結(jié)隔離的摻金TTL電路工藝流程。一次氧化襯底制備隱埋層擴(kuò)散外延淀積。熱氧化隔離光刻隔離擴(kuò)散再氧化。反刻鋁接觸孔光刻鋁淀積。淀積鈍化層中測壓焊塊光刻。典型數(shù)字集成電路中NPN晶體管剖面圖。雙極型集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu)。一支85公分長，重8寸硅晶棒，約需2天半時(shí)間長成。經(jīng)切片、研磨、拋光后，即成半導(dǎo)體之原料晶圓片。一般晶圓制造廠，將多晶硅融解后，再利用。硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。減小集電極串聯(lián)電阻。減小寄生PNP管的影響。高溫時(shí)在Si中的擴(kuò)散系數(shù)小，與襯底晶格匹配好，以減小應(yīng)力。涂膠—烘烤---掩膜（曝光）---顯影---堅(jiān)膜—蝕刻—清洗。—去膜--清洗—N+擴(kuò)散。隔離擴(kuò)散的目的是在襯底上形成孤立的外延層島,實(shí)現(xiàn)元件的隔離。決定NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍SiO. Al—N－Si歐姆接觸：ND≥1019cm-3，--以P阱硅柵CMOS為例
【正文】 OS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 8. 光刻 5多晶硅光刻，形成多晶硅柵及多晶硅電阻 多晶硅 NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 9. 光刻 6P+區(qū)光刻， P+區(qū)注入。形成 PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護(hù)環(huán)。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 10. 光刻 7N管場區(qū)光刻， N管場區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護(hù)環(huán)。 光刻膠 NSi P As 8：光刻接觸孔 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ： 生長 PSG(BPSG) 13. 光刻 9：光刻鋁引線 a、淀積鋁 b、光刻鋁 光刻鋁 AL PSG 場氧 Poly 柵氧 P+ N+ P 阱 N 硅襯底 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 The CMOS Inverter Structure VDDVinVou tCLPolysilicon In Out V DD GND PMOS 2l Metal 1 NMOS Contacts N Well 雙阱硅柵 CMOS工藝 BiCMOS 工藝
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