第一章集成電路的基本工藝(已修改)
2025-06-06 09:31 本頁(yè)面
【正文】 第一章 集成電路的基本制造工藝 一類為在元器件間要做電隔離區(qū) 一類為元器件間自然隔離區(qū) 雙極集成電路的基本制造工藝 典型的雙極集成電路工藝 如 PN結(jié)隔離，全介質(zhì)隔離及 PN結(jié)－介質(zhì)混合隔離等 如 I2L 典型的 PN結(jié)隔離的摻金 TTL電路工藝流程 一次氧化 襯底制備 隱埋層擴(kuò)散 外延淀積 熱氧化 隔離光刻 隔離擴(kuò)散 再氧化 基區(qū)擴(kuò)散 再分布及氧化 發(fā)射區(qū)光刻 背面摻金 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 反刻鋁 接觸孔光刻 鋁淀積 隱埋層光刻 基區(qū)光刻 再分布及氧化 鋁合金 淀積鈍化層 中測(cè) 壓焊塊光刻 典型數(shù)字集成電路中 NPN晶體管剖面圖 AL SiO2 B P P+ PSUB N+ E C N+BL Nepi P+ 雙極型集成電路中元件的形成過程和元件結(jié)構(gòu) P型 Si ρ ? 111晶向 ,偏離 2O~5O 一支 85公分長(zhǎng)，重 8寸 硅晶棒，約需 2天半時(shí)間長(zhǎng)成。經(jīng)切片、研磨、拋光后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片 一般晶圓制造廠，將多晶硅融解后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。 2. 第一次光刻 — N+埋層擴(kuò)散孔 ? 減小集電極串聯(lián)電阻 ? 減小寄生 PNP管的影響 SiO2 PSUB N+BL 要求： 1。 雜質(zhì)固濃度大
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