第一章集成電路的基本工藝-在線(xiàn)瀏覽
2024-07-29 09:31本頁(yè)面
【正文】 光刻 典型數(shù)字集成電路中 NPN晶體管剖面圖 AL SiO2 B P P+ PSUB N+ E C N+BL Nepi P+ 雙極型集成電路中元件的形成過(guò)程和元件結(jié)構(gòu) P型 Si ρ ? 111晶向 ,偏離 2O~5O 一支 85公分長(zhǎng)，重 8寸 硅晶棒，約需 2天半時(shí)間長(zhǎng)成。經(jīng)切片、研磨、拋光后，即成半導(dǎo)體之原料 晶圓片 一般晶圓制造廠(chǎng)，將多晶硅融解后，再利用硅晶種慢慢拉出單晶硅晶棒。 雜質(zhì)固濃度大 2。 與襯底晶格匹配好，以減小應(yīng)力 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 清洗 — N+擴(kuò)散 (P) SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL epi?csrjsC jcCCBOBVCESVepi?3. 外延層淀積 TepiXjc+Xmc+TBLup+tepiox ▲ VPE（ Vaporous phase epitaxy) 氣相外延生長(zhǎng)硅 SiCl4+H2→Si+HCl ▲ 氧化 4. 第二次光刻 — P+隔離擴(kuò)散孔光刻 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 清洗 — P+擴(kuò)散 (B) 隔離擴(kuò)散的目的是在襯底上形成孤立的外延層島 ,實(shí)現(xiàn)元件的
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