第一章集成電路的基本工藝-展示頁
2025-06-01 09:31本頁面
【正文】 P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 3. 去除 SiO2， 長薄氧，長 Si3N4 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 4. 光刻 2有源區(qū)光刻 NSi P Si3N4 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 5. 光刻 3N管場區(qū)光刻， N管場區(qū)注入，以提高場開啟，減少閂鎖效應(yīng)及改善阱的接觸。高溫時在 Si中的擴散系數(shù)小， 以減小上推 3。 2. 第一次光刻 — N+埋層擴散孔 ? 減小集電極串聯(lián)電阻 ? 減小寄生 PNP管的影響 SiO2 PSUB N+BL 要求： 1。第一章 集成電路的基本制造工藝 一類為在元器件間要做電隔離區(qū) 一類為元器件間自然隔離區(qū) 雙極集成電路的基本制造工藝 典型的雙極集成電路工藝 如 PN結(jié)隔離，全介質(zhì)隔離及 PN結(jié)－介質(zhì)混合隔離等 如 I2L 典型的 PN結(jié)隔離的摻金 TTL電路工藝流程 一次氧化 襯底制備 隱埋層擴散 外延淀積 熱氧化 隔離光刻 隔離擴散 再氧化 基區(qū)擴散 再分布及氧化 發(fā)射區(qū)光刻 背面摻金 發(fā)射區(qū)擴散 反刻鋁 接觸孔光刻 鋁淀積 隱埋層光刻 基區(qū)光刻 再分布及氧化 鋁合金 淀積鈍化層 中測 壓焊塊
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