第一章集成電路的基本工藝(參考版)
2025-05-22 09:31本頁面
【正文】 光刻膠 NSi P As 8：光刻接觸孔 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 ： 生長 PSG(BPSG) 13. 光刻 9：光刻鋁引線 a、淀積鋁 b、光刻鋁 光刻鋁 AL PSG 場(chǎng)氧 Poly 柵氧 P+ N+ P 阱 N 硅襯底 CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 The CMOS Inverter Structure VDDVinVou tCLPolysilicon In Out V DD GND PMOS 2l Metal 1 NMOS Contacts N Well 雙阱硅柵 CMOS工藝 BiCMOS 工藝 。形成 PMOS管的源、漏區(qū)及 P+保護(hù)環(huán)。 NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 4p管場(chǎng)區(qū)光刻， p管場(chǎng)區(qū)注入， 調(diào)節(jié)PMOS管的開啟電壓，生長多晶硅。 ? Al— N－ Si 歐姆接觸： ND≥1019cm3， 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 擴(kuò)散 SiO2 N+BL PSUB Nep
教學(xué)課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號(hào)-1