cmos集成電路工藝基礎(chǔ)(參考版)
2025-05-15 01:31本頁面
【正文】 、外延生長 外延生長是用同質(zhì)材料形成具有不同摻雜種類及濃度而具有不同性能的晶體層 外延層（ P） 單晶硅 器件和 IC都制作在外延層 第四節(jié) CMOS集成電路加工過程簡介 *硅片制備 *前道工序 *后道封裝 、 MOS工藝 *NMOS工藝 *PMOS工藝 *CMOS工藝 P阱 CMOS工藝 N阱 CMOS工藝 雙阱 CMOS工藝 M ask掩膜版 CHIP CMOS(P阱 )工藝流程介紹 形成 P 阱區(qū) ? 確定 nM OS 和 pMO S 有源區(qū) ? 場和柵氧化（ t hinox ） ? 形成多晶硅并刻蝕成圖案 ? p+ 擴(kuò)散 ? n+ 擴(kuò)散 ? 刻蝕接觸孔 ? 沉積第一金屬層并刻蝕成圖案 ? 沉積第二金屬層并刻蝕成圖案 （ 選 ） ? 形成鈍化玻璃并刻蝕焊盤 1P2M CMOS主要工藝步驟 ?第一步 : 掩膜 1： P阱 目標(biāo) : 制作 P阱 Si 襯底 P w e l l具體步驟如下： 1．生長二氧化硅： Si 襯底 S iO 22． P阱光刻： 涂膠、掩膜對準(zhǔn)、曝光、顯影、刻蝕 3． 去膠 4． 摻雜： 摻入 B元素 涂膠 顯影 刻蝕 去膠 摻雜形成 P阱 第二步 掩膜 2 ： 有源區(qū) (有器件的區(qū)域 ) ? 淀積氮化硅 ? 光刻有源區(qū) ? 場區(qū)氧化 ? 去除有源區(qū)氮化硅及二氧化硅 ? 生長柵氧 ? 淀積多晶硅 淀積氮化硅 光刻有源區(qū) 場區(qū)氧化去除氮化硅及二氧化硅 長柵氧 淀積多晶硅柵氧化層 第三步 掩膜 3 ： 光刻多晶硅 光刻多晶硅第四步 掩膜 4 ： P+區(qū) (PMOS的 D,S 區(qū) ) P+區(qū)光刻 離子注入 B+， 柵區(qū)有多晶硅做掩蔽，稱為硅柵自對 準(zhǔn)工藝。 （ 3）還有用電子束（ E－ Beam） 光源的，主要用于做 Mask。 ? 90年代對 Stepper的改進(jìn)大致兩個(gè)方面， ? 一是在光源上： （ 1）用 Iline的紫外線，波長在 365nm， 可加工~ m的芯片。它將 Mask上的圖形縮小 5
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