cmos數(shù)字集成電路ppt課件(參考版)
2025-05-08 12:05本頁面
【正文】 VIL是保證可靠的邏輯“ 1”狀態(tài) CMOS反相器的最大輸入電壓， VIH是保證可靠的邏輯“ 0”狀態(tài) CMOS反相器的最小輸入電壓。此外，降低電源電壓可以同時減 少靜態(tài)功耗、動態(tài)功耗和短路功耗，因此在低功耗系統(tǒng)中都 采用 ~。 ? 導(dǎo)線的延遲時間 in R R R R R out C C C C C RCnnt n )1(21 ?? 當(dāng) n很大時 : 221 rc ltl ?式中， r 是單位長度導(dǎo)線分布電阻， c 是單位長度導(dǎo)線 分布電容， l 是導(dǎo)線長度。 連線電容 ? 信號沿導(dǎo)線傳播的延遲依賴于許多因素，包括導(dǎo)線的分布電阻與電容，驅(qū)動源的阻抗，以及負載阻抗。 結(jié)電容 Cja是結(jié)電壓 Vj的函數(shù) ： nBjjajaVCC ???? )1(0式中， ΦB為結(jié)電勢， ΦB≈。 分布電容 ? MOS晶體管的器件電容 CBS CGB CBD S D 溝道 CBS CGB CBD CGS G CGD ,G G D G S G BC G C? ? ?一般 ， 柵極電容可統(tǒng)一近似為： 式中 ， ε0是真空的介電系數(shù) ， ε0X是二氧化硅的相對介電常數(shù) ， ε0X =4， A為柵氧化 層面積 ， t0X 為柵氧化層厚度 。 第二章 CMOS數(shù)字集成電路 引言 集成電路的主要生產(chǎn)工藝 ? 晶片準(zhǔn)備 ? 制版 ? 光刻工藝 ? 氧化工藝 ? 淀積 ? 腐蝕 ? 擴散 P型襯底 SiO2 N+ N+ G S D 金屬 CMOS反相器及其版圖 ? MOS晶體管及其版圖 L W 多晶硅 SiO2 源 (N+) 漏 (N+) NMOS晶體管 柵 (G)
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