第一章集成電路的基本工藝-wenkub.com
2025-05-12 09:31 本頁(yè)面
【正文】 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 10. 光刻 7N管場(chǎng)區(qū)光刻， N管場(chǎng)區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護(hù)環(huán)。 光刻膠 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 6. 長(zhǎng)場(chǎng)氧，漂去 SiO2及 Si3N4； 然后長(zhǎng)柵氧。 雜質(zhì)固濃度大 2。第一章 集成電路的基本制造工藝 一類(lèi)為在元器件間要做電隔離區(qū) 一類(lèi)為元器件間自然隔離區(qū) 雙極集成電路的基本制造工藝 典型的雙極集成電路工藝 如 PN結(jié)隔離，全介質(zhì)隔離及 PN結(jié)－介質(zhì)混合隔離等 如 I2L 典型的 PN結(jié)隔離的摻金 TTL電路工藝流程 一次氧化 襯底制備 隱埋層擴(kuò)散 外延淀積 熱氧化 隔離光刻 隔離擴(kuò)散 再氧化 基區(qū)擴(kuò)散 再分布及氧化 發(fā)射區(qū)光刻 背面摻金 發(fā)射區(qū)擴(kuò)散 反刻鋁 接觸孔光刻 鋁淀積 隱埋層光刻 基區(qū)光刻 再分布及氧化 鋁合金 淀積鈍化層 中測(cè) 壓焊塊光刻 典型數(shù)字集成電路中 NPN晶體管剖面圖 AL SiO2 B P P+ PSUB N+ E C N+BL Nepi P+ 雙極型集成電路中元件的形成過(guò)程和元件結(jié)構(gòu) P型 Si ρ ? 111晶向 ,偏離 2O~5O
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