第一章集成電路的基本工藝-閱讀頁
2025-06-11 09:31本頁面
【正文】 隔離 有 PN結(jié)隔離、介質(zhì)隔離、 PN結(jié)－介質(zhì)混合隔離等 SiO2 N+BL PSUB Nepi N+BL Nepi P+ P+ P+ 5. 第三次光刻 — P型基區(qū)擴(kuò)散孔光刻 決定 NPN管的基區(qū)擴(kuò)散位置范圍 SiO2 去 SiO2— 氧化 涂膠 — 烘烤 掩膜（曝光） 顯影 堅(jiān)膜 — 蝕刻 — 清洗 — 去膜 — 清洗 — 基區(qū)擴(kuò)散 (B) N+BL PSUB Nepi N+BL P+ P+ P+ P P 6. 第四次光刻 — N+發(fā)射區(qū)擴(kuò)散孔 ? 集電極和 N型電阻的接觸孔 ,以及外延層的反偏孔。 光刻膠 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 6. 長(zhǎng)場(chǎng)氧，漂去 SiO2及 Si3N4； 然后長(zhǎng)柵氧。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 8. 光刻 5多晶硅光刻，形成多晶硅柵及多晶硅電阻 多晶硅 NSi P CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 9. 光刻 6P+區(qū)光刻， P+區(qū)注入。 NSi P B+ CMOS集成電路工藝 以 P阱硅柵 CMOS為例 10. 光刻 7N管場(chǎng)區(qū)光刻， N管場(chǎng)區(qū)注入，形成NMOS的源、漏區(qū)及 N+保護(hù)環(huán)
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