cmos集成電路工藝基礎(chǔ)-文庫吧資料
2025-05-19 01:31本頁面
【正文】 倍后投影到硅片上，因此，使缺陷縮小很多。代表產(chǎn)品有：美國的 GCA， 日本的 Canon，Nikon及荷蘭的 ASM。 另外 ， 有光折射產(chǎn)生 。 存在問題是： （ 1） Mask難做，要求平坦，不能有缺陷。 ? 80年代發(fā)明了 1： 1投影式光刻機，可加工 1～2μ m線寬， 5～ 6wafer。 那時的光刻機 采用接觸式 的。 ????? ??? 24334 124 5 043 0 HNSiNHS iH C4SiN 3NH、光刻與腐蝕工藝 ?光刻工藝是完成在整個硅片上進行開窗的工作。 ? 目前 ， 廣泛采用的是氮化硅做保護膜 ， 其加工過程是在 450176。 刻蝕分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 采用 在 700176。 ? 適當(dāng)控制壓力 、 溫度并引入反應(yīng)的蒸汽 ， 經(jīng)過足夠長的時間 ， 便可在硅表面淀積一層高純度的多晶硅 。 AL離子束w a f e r、 淀積多晶硅 ? 淀積多晶硅一般采用化學(xué)汽相淀積 （ LPCVD） 的方法 。 、金屬化工藝 淀積鋁也稱為金屬化工藝，它是在真空設(shè)備中進行的。 因此，離子注入方法可以精確地控制摻雜區(qū)域的濃度及深度。 Rp： 平均濃度 ?p： 穿透深度的標準差 Nmax=?p NT： 單位面積注入的離子數(shù) ， 即離子注入劑量 2．離子注入最大值 Nmax與注入劑量 NT有關(guān)。 eDtN DtT xxP 4212)(2)( ?)1(3 10 15 cmN T ??2．離子注入 eN ppRxxN ]2[m a x 22)()( ??? ?σ p σ pN m a x0 Rp 深度 X硼原子數(shù)0 X ?其中： 離子注入的分布有以下兩個特點： 1． 離子注入的分布曲線形狀 （ Rp， б p） ， 只與離子的初始能量 E0有關(guān) 。 ? STEP2 推進：在高溫 、 高壓下 ， 使硅片表面的雜質(zhì)擴散到硅片內(nèi)部 。 GDS D G SP si1. 擴散：擴散爐與氧化爐基本相同 ， 只是將要摻入的雜質(zhì)如 P或 B的源放入爐管內(nèi) 。 形成 N或 P型半導(dǎo)體 . 摻雜過程是由硅的表面向體內(nèi)作用的 。 ? 當(dāng)硅中摻入 Ⅲ 族元素 B時，硅中多數(shù)載流子為空穴，這種半導(dǎo)體稱為 P型半導(dǎo)體。 本征半導(dǎo)體中載流子的濃度在室溫下： T＝ 300K )/1(10* 310 cmnpn i ???、 P型和 N型半導(dǎo)體 ? 兩種載流子：帶負電荷的電子和帶正電荷的空穴 。 硅和鍺的都是四價元素，原子的最外層軌道 上有四個電子。 6． 金屬材料的作用 主要功能： 1）器件本身的接觸線 2）器件間的互連線 3）形成焊盤（ PAD）， 封裝接口 目前最常用的是 AL
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