cmos數(shù)字集成電路ppt課件-文庫吧資料
2025-05-11 12:05本頁面
【正文】 源 (S) 漏 (D) 柵氧化層 P型 NMOS管的物理模型 P型襯底 N+ N+ 空穴 電子 溝道 NMOS管特性 漏極電流 201( ) ( 121( ) ( 12)N G S TN D S D S D SN TNDG S D SWI K V V V V VLWK V V λ V)L?????? ? ? ????????NMOS管特性 ? 當(dāng)不考慮溝道長(zhǎng)度調(diào)制系數(shù) λ 的影響時(shí) : 截止?fàn)顟B(tài) VGSVTN 線性區(qū) VGSVTN VGSVDS+VTN 飽和區(qū) VTNVGSVDS+VTN 201()21()2D N G S TN D S D SN TNGSWI K V V V VLWK V VL????? ? ???????? 對(duì)于 PMOS管 201( ) ( 121( ) ( 12)D p G S TP D S D S D Sp TPG S D SWI K V V V V VLWK V V λ V)L?????? ? ? ? ????? ? ???VGSVTP VGSVDS+VTP VGS+VTPVGSVTP ? NMOS管在線性區(qū)的溝道電阻 12()DSDSDN G S T N D SVLRI K W V V V?? ??數(shù)字電路的應(yīng)用中 1()NNNN GS N T N N NLLRrK V V W W???? NMOS管作電阻 RDS PMOS管 1()PPP GS P T P PLRK V V W?? CMOS反相器的結(jié)構(gòu)及其版圖 RP=RN 1( ) 2 . 5N P NN P PL L KW W K? ??VOUT CMOS反相器 VDD VIN M1 M2 VDD VOUT RP (M2) VIN VIN RN (M1)
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