集成電路工藝原理-文庫(kù)吧資料
2025-07-29 00:26本頁(yè)面
【正文】 從而實(shí)現(xiàn)圖形轉(zhuǎn)移。則光刻分辨的最小尺寸為多少？如果采用 i線光源呢？ 解：從圖中可以知道： S＝ ， MTF＝ ，對(duì)應(yīng)于 ?=?0。 n為折射率 分辨率 NAkR ?1?k1= 提高分辨率： NA?， ??， k1? 理論計(jì)算人眼愛里斑 ~20mm 分辨率 ： 100 mm n ? 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 20/34 投影式 基本參數(shù)： ?分辨率 (resolution) ?焦深 (depth of focus) ?視場(chǎng) (field of view) ?調(diào)制傳遞函數(shù) (MTF— modulation transfer function) ?套刻精度 (alignment accuracy) ?產(chǎn)率 (throughput) ?…… 光學(xué)系統(tǒng)決定 機(jī)械設(shè)計(jì) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 21/34 ?為 軸上光線到極限聚焦位置的光程差。 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 1/34 集成電路 工藝 原理 仇志軍 邯鄲校區(qū)物理樓 435室 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 2/34 凈化的三個(gè)層次： 上節(jié)課主要內(nèi)容 凈化級(jí)別 高效凈化 凈化的必要性 器件：少子壽命 ?， VT改變， Ion? Ioff?，柵擊穿電壓 ?，可靠性 ? 電路：產(chǎn)率 ?，電路性能 ? 雜質(zhì)種類：顆粒、有機(jī)物、金屬、天然氧化層 強(qiáng)氧化 天然氧化層HF:DI H2O 本征吸雜和非本征吸雜 環(huán)境、硅片清洗、吸雜 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 3/34 大綱 第一章 前言 第二章 晶體生長(zhǎng) 第三章 實(shí)驗(yàn)室凈化及硅片清洗 第四章 光刻 第五章 熱氧化 第六章 熱擴(kuò)散 第七章 離子注入 第八章 薄膜淀積 第九章 刻蝕 第十章 后端工藝與集成 第十一章 未來趨勢(shì)與挑戰(zhàn) 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 4/34 光刻的作用和目的 圖形的產(chǎn)生和布局 集成電路工藝原理 第四章 光刻原理 (上 ) 5/34 35％
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