集成電路制造工藝及設備-文庫吧資料
2025-05-06 13:59本頁面
【正文】 于 4: 5:1縮小的投影曝光，可以得到更小的圖形尺寸，可以減少掩模版上缺陷（如灰塵等顆粒）對成品率的影響。 接近式曝光 接近式曝光是掩膜版同光刻膠離開10 ～ 50 μm，所以掩膜版不容易被損傷，掩膜版的使用壽命長，圖形的缺陷少，管芯的成品率高，但是缺點是分辨率低，同時機器操作比接觸式曝光機復雜、價格也稍貴。它分成真空接觸、硬接觸和軟接觸三種方式，其中真空接觸具有接觸力均勻、掩膜變形小和可以消除氧氣對光刻膠的影響等優(yōu)點。 3. 光刻工藝 底膜是指顯影后還有一層薄薄的膠。熱退火后對雜質分布將產生影響， LSS理論的射程 RP和標準偏差 ΔRp 要作修正。 注入離子的激活 離子注入后的熱退火 高能粒子撞擊硅片表面，造成晶格損傷，因此為了消除離子注入造成的損傷和激活注入的雜質離子，離子注入后必須要進行熱退火。對于高能、大劑量的重離子注入到硅單晶中，如 As+，將使局部晶體變成非晶體。 電流積分儀 （ 6 8） 如果束流是穩(wěn)定的電流 I，則： qItSNS ?ISqNt S?（ 6 9） （ 6 10） 其中： NS 單位面積的注入劑量（個 /cm2 ）， S 是掃描面積（ cm2 ）， q 是一個離子的電荷（ 1019庫侖），I 是注入的束流（安培）， t 是注入時間（秒）。 ● 熱擴散時，雜質在縱向擴散的同時進行橫向 擴散，兩者幾乎一樣，而離子注入的橫向擴 散很小。 ● 離子注入法可以做到高純度的摻雜，避免有 害物質進入硅片。 離子注入的優(yōu)點 2. 離子注入 ● 擴散法摻雜時受到化學結合力、擴散系數(shù)及 固溶度等方面的限制，而離子注入是一個物 理過程，所以它可以注入各種元素。襯底只能用于單晶硅表面。以上時，一般采用干氧 — 濕氧 — 干氧的方式，既保證了所需的厚度，縮短了氧化時間，又改善了表面的完整性和解決了光刻時的浮膠問題。 的 SiO2薄膜一般采用干氧的方式。同時，濕氧氧化后的 Si 片表面存在較多的位錯和腐蝕坑。 ● 濕氧氧化生長的膜致密性略差于干氧生長的 SiO2 膜，但它具有生長速率快的優(yōu)點，其掩蔽能力和鈍化效果都能滿足一般器件的要求。 不同的熱氧化方式生長的 SiO2 膜性質比較 ● 干氧氧化的 SiO2 膜結構致密，干燥、均勻 性和重復性好、掩蔽能力強、鈍化效果好， 與光刻膠的接觸良好，光刻時不易浮膠。 （ 3 13） 硅熱氧化的厚度計算 熱氧化原理和方法 O2 擴散 反應
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