mos集成電路的基本制造工藝-文庫(kù)吧資料
2025-07-31 19:09本頁(yè)面
【正文】 藝 ? 使用雙阱工藝不但可以 提高器件密度 ，還可以有效的控制寄生晶體管的影響，抑制閂鎖現(xiàn)象。 GSDGDSN+N+P+P+P+N M O SP M O SP S U BN 阱N+半導(dǎo)體集成電路 雙阱 CMOS工藝 ? 隨著工藝的不斷進(jìn)步，集成電路的線條尺寸 不斷縮小，傳統(tǒng)的單阱工藝有時(shí)已不滿足要求，雙阱工藝應(yīng)運(yùn)而生。但由于 N阱 CMOS中NMOS管直接在 P型硅襯底上制作 ，有利于發(fā)揮 NMOS器件高速的特點(diǎn)，因此成為 常用工藝 。 在這種情況下， N阱中和了 P型襯底 ， P溝道晶體管會(huì)受到過(guò)渡摻雜的影響。 GSDGDSN+N+P+P+P+N M O SP M O SN S U BP 阱N+半導(dǎo)體集成電路 N阱 CMOS工藝
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