半導(dǎo)體集成電路_03集成電路的基本制造工藝-文庫吧資料
2025-03-05 04:35本頁面
【正文】 孔PwellP+ N+N+P+NSiPwellPwellP+ P+ N+ N+磷硅玻璃（ PSG)2023/2/1掩膜 6 ：光刻接觸孔PwellP+ P+ N+ N+淀積 PSGPwellP+ P+ N+ N+光刻接觸孔PwellP+ P+ N+ N+刻蝕接觸孔PwellP+ P+ N+ N+去膠2023/2/12023/2/1掩膜 7 ：光刻鋁線淀積鋁 .光刻鋁去膠PwellPwellP+ P+ N+ N+2023/2/1PwellP+ P+ N+ N+鋁線PSG場氧柵極氧化膜P+區(qū)PwellN型硅極板多晶硅N+區(qū)2023/2/1Example: Intel micron Process5 metal layersTi/Al Cu/Ti/TiNPolysilicon dielectric2023/2/1Interconnect Impact on Chip2023/2/1掩膜 8 ：刻鈍化孔CircuitPADCHIP雙阱標(biāo)準(zhǔn) CMOS工藝P+pepip well n wellp+n+gate oxideAl (Cu)tungstenSiO2SiO2TiSi2field oxide?增加器件密度?防止寄生晶體管效應(yīng)（閂鎖效應(yīng)）pepiP阱n+STITiSi2STI深亞微米 CMOS晶體管結(jié)構(gòu)STISTISTIN阱n n+n p+ p p+p源 /漏擴(kuò)展區(qū)淺槽隔離側(cè)墻?多晶硅硅化物2023/2/1功耗驅(qū)動能力CMOS雙極型BiCMOSBiCMOS集成電路工藝2023/2/1BiCMOS工藝分類以 CMOS工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝以雙極工藝為基礎(chǔ)的 BiCMOS工藝。半導(dǎo)體半導(dǎo)體集成電路集成電路2. 雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/2/1pn+nepin+PSin+BLCBE SP+P+雙極集成電路的基本工藝雙極集成電路的基本工藝2023/2/1PSiTepiCBEpn+nepin+PSiP+P+Sn+BLTepiAA’TBLuptepioxxmcxjc四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的雙極晶體管雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)雙極集成電路中元件結(jié)構(gòu)2023/2/1EC B相關(guān)知識點(diǎn)隱埋層的作用、電隔離的概念、寄生晶體管隱埋層的作用、電隔離的概念、寄生晶體管 MOS集成電路的工藝集成電路的工藝 P阱阱 CMOS工藝工藝 BiCMOS集成電路的工藝集成電路的工藝 N阱阱 CMOS工藝工藝 雙阱雙阱 CMOS工藝工藝2023/2/1MOS晶體管的動作 MOS晶體管實(shí)質(zhì)上是一種使電流時而流過，時而切斷的 開關(guān)開關(guān)n+ n+P型硅基板柵極（金屬） 絕緣層（ SiO2）半導(dǎo)體基板漏極源極N溝溝 MOS晶體管的基本結(jié)構(gòu)晶體管的基本結(jié)構(gòu)源極 (S)漏極 (D)柵極 (G)2023/2/1silicon substratesource draingateoxide oxidetop n
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